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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaSTB80N20M5
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Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.
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Método de pago

STB80N20M5 - STMicroelectronics

Fabricante Número de pieza
STB80N20M5
Fabricante
STMicroelectronics
Allelco Número de pieza
32D-STB80N20M5
Garantía
1 año de garantía Allelco - Descubre más
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 200V 61A D2PAK
Embalaje
D2PAK
Ficha de datos
1.STB80N20M5.pdf ...

Hojas de datos

STx80N20M5.pdf

Diseño/especificación de PCN

D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013.pdf

Ensamblaje de PCN/origen

STB80N20M5 Assembly Add 8/Apr/2019.pdf
Estado RoHS
ROHS3 Cumplante
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Especificaciones

Especificaciones tecnológicas STB80N20M5
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de STMicroelectronics - STB80N20M5 con especificaciones similares a STMicroelectronics - STB80N20M5

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo D2PAK  
Serie MDmesh™ V  
RDS (Max) @Id, Vgs 23mOhm @ 30.5A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 190W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4329 pF @ 50 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 104 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 200 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 61A (Tc)  
Número de producto base STB80  

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS ROHS3 Cumplante
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estatus de alcance REACH Unaffected
ECCN EAR99

Introducción de piezas

Número de pieza del fabricante

STB80N20M5

Fabricante

Stmicroelectronics

Introducción

El STB80N20M5 es un transistor MOSFET de potencia N de alto rendimiento de la serie MDMesh V de STMicroelectronics.

Características del producto y rendimiento

Calificación de voltaje de fuente de drenaje de 200V

23MΩ máxima de resistencia en 30.5a, 10V

61A Corriente de drenaje continuo a 25 ° C

Disipación máxima de potencia de 190W

4329pf Capacitancia de entrada máxima a 50V

Adecuado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia y alta frecuencia

Ventajas de productos

Baja resistencia a alta eficiencia

Capacidad de manejo de alta corriente

Optimizado para conmutación rápida

Diseño robusto para operaciones confiables

Parámetros técnicos clave

Voltaje de fuente de drenaje (VDSS): 200V

Voltaje de fuente de puerta (VGS): ± 25V

En resistencia (RDS (ON)): 23MΩ @ 30.5a, 10V

Corriente de drenaje (ID): 61a @ 25 ° C

Disipación de potencia (PD): 190W @ 25 ° C

Capacitancia de entrada (CISS): 4329pf @ 50V

Características de calidad y seguridad

ROHS3 Cumplante

Confiabilidad y calidad de grado industrial

Adecuado para una operación de alta temperatura de hasta 150 ° C

Compatibilidad

Compatible con una amplia gama de aplicaciones de suministro de energía y control

Áreas de aplicación

Suministros de alimentación de conmutación

Impulso del motor

Automatización industrial

Electrodomésticos

Sistemas de energía renovable

Ciclo de vida del producto

El STB80N20M5 es un producto compatible activamente en la cartera de STMicroelectronics.

Los reemplazos o actualizaciones pueden estar disponibles a medida que avanza tecnología.

Razones clave para elegir

Excelente eficiencia y densidad de potencia debido a la baja resistencia

Alta capacidad de corriente para aplicaciones exigentes

Rendimiento de conmutación rápida para operación de alta frecuencia

Diseño robusto para operaciones confiables en entornos duros

Compatibilidad con una amplia gama de aplicaciones electrónicas de energía

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las STMicroelectronics STB80N20M5

Atributo del producto STB80NE03L-06T4 STB80NF03L-04-1 STB80N4F6AG STB7NK80ZT4
Número de pieza STB80NE03L-06T4 STB80NF03L-04-1 STB80N4F6AG STB7NK80ZT4
Fabricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Característica de FET - - - -
Vgs (Max) - - - -
Número de producto base - DAC34H84 MAX500 ADS62P42
Tipo FET - - - -
RDS (Max) @Id, Vgs - - - -
Tecnología - - - -
Paquete / Cubierta - 196-LFBGA 16-DIP (0.300', 7.62mm) 64-VFQFN Exposed Pad
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las - - - -
Paquete - Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @Id - - - -
Paquete del dispositivo - 196-NFBGA (12x12) 16-PDIP 64-VQFN (9x9)
La disipación de energía (máximo) - - - -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) - - - -
Tipo de montaje - Surface Mount Through Hole Surface Mount
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C - - - -
Temperatura de funcionamiento - -40°C ~ 85°C 0°C ~ 70°C -40°C ~ 85°C
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs - - - -
Serie - - - -

STB80N20M5 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF STB80N20M5 y la documentación STMicroelectronics para STB80N20M5 - STMicroelectronics.

Hojas de datos
STx80N20M5.pdf
Diseño/especificación de PCN
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013.pdf
Ensamblaje de PCN/origen
STB80N20M5 Assembly Add 8/Apr/2019.pdf
Embalaje de PCN
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf

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Comentarios de los clientes

Evaluación: 10 Artículos

  • Jess***Jones
    17/04/2026

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    17/04/2026

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

  • Aman***arris
    03/04/2026

    It was great—the entire process, from placing the order to receiving the package, went very smoothly. The components were consistent, the price was fair, and I had a very pleasant shopping experience.

  • Mike***nch
    03/04/2026

    Better than expected! The resistance and capacitance readings were spot-on, and it passed the test on the first try. The service was reliable, and the packaging was thoughtful—I highly recommend it.

  • Daic***K.
    23/03/2026

    Very good. No issue after long time testing.

  • Kevi***.
    17/03/2026

    Fast switching and stable output. Very satisfied with this IC

  • Daou***hekebkeb
    16/06/2024

    I had a great experience purchasing items from Allelcoelec, I recommend

  • Uri ***al
    19/06/2024

    Good comunication,
    Transpnt regarding the process and price.

  • Yaqu***l Ali
    19/06/2024

    Providing reasonable prices, regular follow-up of orders, providing accurate and regular invoices, timely delivery of goods, excellent customer service and providing original goods and best quality materials.

  • Lea ***
    19/06/2024

    Morrey was very helpful and right on top of things!
    He replied quickly to my RFQ. He was very courteous and professional.

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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