- Jess***Jones
- 17/04/2026
Hojas de datos
ST(B,P)7NK80Z(-1,FP).pdfDiseño/especificación de PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdfEnsamblaje de PCN/origen
TO-220 Capacity Expansion 18/Jun/2013.pdfEmbalaje de PCN
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdfEspecificaciones tecnológicas STB7NK80Z-1
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de STMicroelectronics - STB7NK80Z-1 con especificaciones similares a STMicroelectronics - STB7NK80Z-1
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| VGS (th) (Max) @Id | 4.5V @ 100µA | |
| Vgs (Max) | ±30V | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Paquete del dispositivo | I2PAK | |
| Serie | SuperMESH™ | |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 1.8Ohm @ 2.6A, 10V | |
| La disipación de energía (máximo) | 125W (Tc) | |
| Paquete / Cubierta | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| Paquete | Tube |
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1138 pF @ 25 V | |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 56 nC @ 10 V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Característica de FET | - | |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 800 V | |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 5.2A (Tc) | |
| Número de producto base | STB7NK80 |
| ATRIBUTO | DESCRIPCIóN |
|---|---|
| Estado RoHS | ROHS3 Cumplante |
| Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estatus de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las STMicroelectronics STB7NK80Z-1
| Atributo del producto | ||||
|---|---|---|---|---|
| Número de pieza | STB7NK80Z-1 | STB80N20M5 | STB7NK80ZT4 | STB80N4F6AG |
| Fabricante | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 56 nC @ 10 V | 104 nC @ 10 V | 56 nC @ 10 V | 36 nC @ 10 V |
| Paquete del dispositivo | I2PAK | D2PAK | D2PAK | D²PAK (TO-263) |
| Serie | SuperMESH™ | MDmesh™ V | SuperMESH™ | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 1.8Ohm @ 2.6A, 10V | 23mOhm @ 30.5A, 10V | 1.8Ohm @ 2.6A, 10V | 6mOhm @ 40A, 10V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 5.2A (Tc) | 61A (Tc) | 5.2A (Tc) | 80A (Tc) |
| VGS (th) (Max) @Id | 4.5V @ 100µA | 5V @ 250µA | 4.5V @ 100µA | 4V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Vgs (Max) | ±30V | ±25V | ±30V | ±20V |
| Paquete | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Número de producto base | STB7NK80 | STB80 | STB7NK80 | STB80 |
| Tipo FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Característica de FET | - | - | - | - |
| Tipo de montaje | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1138 pF @ 25 V | 4329 pF @ 50 V | 1138 pF @ 25 V | 2150 pF @ 25 V |
| Paquete / Cubierta | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 800 V | 200 V | 800 V | 40 V |
| La disipación de energía (máximo) | 125W (Tc) | 190W (Tc) | 125W (Tc) | 70W (Tc) |
Descargue las hojas de datos PDF STB7NK80Z-1 y la documentación STMicroelectronics para STB7NK80Z-1 - STMicroelectronics.
STB7NB60T4STMicroelectronics
STB7NC70ZSTMicroelectronics
STB80N20M5 80N20M5STMicroelectronics
STB7NC80ZT4STMicroelectronics
STB7NC70ZT4STMicroelectronics
STB80L60SAMHOP
STB7NK80ZSTMicroelectronics
STB7NK80ZT4 MOSSTMicroelectronics
STB7NB60STMicroelectronics
STB80N03L-06STMicroelectronics
STB7NK40ZSTMicroelectronics
STB7NB60T4 MOSSTMicroelectronics
STB80N03STMicroelectronics
STB7NK80Z B7NK80ZSTMicroelectronicsSu dirección de correo electrónico no se publicará.
| Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
|---|---|---|
| Región | País | Hora logística (día) |
| America | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemania | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oceanía | Australia | 6 |
| Nueva Zelanda | 5 | |
| Asia | India | 4 |
| Japón | 4 | |
| Oriente Medio | Israel | 6 |
| Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
|---|---|
| Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
¿Quieres un mejor precio? Agregar al carro y Envíe RFQ ahora, nos pondremos en contacto con usted de inmediato.