Número de pieza del fabricante
Stb32nm50n
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
Transistor MOSFET de canal de alto rendimiento
Características del producto y rendimiento
Voltaje de desglose alto de 500V
Muy baja resistencia de 130mΩ
Alta corriente de drenaje continuo de 22A
Velocidades de conmutación rápidas
Carga de puerta baja de 62.5 nc
Amplio rango de temperatura de funcionamiento de hasta 150 ° C
Ventajas de productos
Excelente capacidad de manejo de potencia
Conversión y control de potencia eficiente
Adecuado para una variedad de aplicaciones de alta potencia
Parámetros técnicos clave
Voltaje de fuente de drenaje (VDSS): 500V
Voltaje de fuente de puerta (VGS): ± 25V
En resistencia (RDS (ON)): 130MΩ
Corriente de drenaje continuo (ID): 22a
Capacitancia de entrada (CISS): 1973pf
Disipación de potencia (PTOT): 190W
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Tecnología de MOSFET confiable
Compatibilidad
Reemplazo para transistores MOSFET de canal N de alto voltaje similar
Áreas de aplicación
Suministros de alimentación de modo de interruptor
Impulso del motor
Inversores
Electrónica industrial y de consumo
Ciclo de vida del producto
Actualmente en producción
Reemplazos y actualizaciones disponibles
Razones clave para elegir este producto
Excelente manejo y eficiencia de energía
Alta fiabilidad y larga vida operativa
Adecuado para una amplia gama de aplicaciones de alta potencia
Solución rentable para la conversión y control de energía
STB34NM60MSTMicroelectronics