Número de pieza del fabricante
STB31N65M5
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
MOSFET de alto rendimiento y de alto rendimiento en un paquete DPAK
Características del producto y rendimiento
Calificación de alto voltaje de hasta 650V
Baja resistencia a 148mΩ
Capacidad de alta corriente de hasta 22A
Características de conmutación rápida
Adecuado para aplicaciones de alta frecuencia
Excelentes características térmicas
Ventajas de productos
Conversión de energía compacta y eficiente
Diseño confiable y robusto
Optimizado para aplicaciones de energía exigentes
Parámetros técnicos clave
Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 650V
Voltaje de puerta a fuente (VGS): ± 25V
En resistencia (RDS (ON)): 148MΩ @ 11a, 10V
Corriente de drenaje continuo (ID): 22a @ 25 ° C
Capacitancia de entrada (CISS): 1865pf @ 100V
Disipación de potencia (TC): 150W
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
AEC-Q101 calificado
Compatibilidad
Adecuado para una amplia gama de aplicaciones de conversión y control de energía
Áreas de aplicación
Suministros de alimentación de conmutación
Impulso del motor
Automatización industrial
Sistemas de iluminación
Sistemas de energía renovable
Ciclo de vida del producto
Actualmente en producción activa
Reemplazos y actualizaciones disponibles
Razones clave para elegir este producto
Capacidad de alto voltaje y corriente
Rendimiento eficiente y confiable
Diseño compacto y optimizado térmicamente
Amplia compatibilidad e idoneidad de la aplicación
Certificaciones probadas de calidad y seguridad
STB33N60M6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 25A D2PAK