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STB30N65M5 - STMicroelectronics

Fabricante Número de pieza
STB30N65M5
Fabricante
STMicroelectronics
Allelco Número de pieza
32D-STB30N65M5
Garantía
1 año de garantía Allelco - Descubre más
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
Embalaje
D2PAK
Ficha de datos
1.STB30N65M5.pdf ...

Hojas de datos

STx30N65M5.pdf
Estado RoHS
ROHS3 Cumplante
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Especificaciones

Especificaciones tecnológicas STB30N65M5
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de STMicroelectronics - STB30N65M5 con especificaciones similares a STMicroelectronics - STB30N65M5

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo D2PAK  
Serie MDmesh™ V  
RDS (Max) @Id, Vgs 139mOhm @ 11A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 140W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2880 pF @ 100 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 64 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 650 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 22A (Tc)  
Número de producto base STB30  

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS ROHS3 Cumplante
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estatus de alcance REACH Unaffected
ECCN EAR99

Introducción de piezas

Número de pieza del fabricante

STB30N65M5

Fabricante

Stmicroelectronics

Introducción

MOSFET de potencia N-canal de alto rendimiento en un paquete D2PAK

Parte de la serie Mdmesh V

Características del producto y rendimiento

Drenaje a voltaje de fuente (VDSS) de 650V

Voltaje máximo de fuente de puerta (VGS) de ± 25V

Resistencia en el estado (RDS (ON)) de 139mΩ a 11a, 10V

Corriente de drenaje continuo (id) de 22a a 25 ° C

Capacitancia de entrada (CISS) de 2880pf a 100V

Disipación máxima de potencia de 140W en TC

Ventajas de productos

Excelente eficiencia energética debido a la baja resistencia en el estado

Alta capacidad de avalancha y rugosidad

Adecuado para aplicaciones de conmutación de alto voltaje y alta corriente

Parámetros técnicos clave

Tecnología MOSFET: canal N

Voltaje umbral (VGS (TH)) de 5V a 250a

Carga de puerta (QG) de 64 nc a 10V

Temperatura de funcionamiento de hasta 150 ° C

Características de calidad y seguridad

ROHS3 Cumplante

Paquete de montaje de superficie d2pak

Compatibilidad

Adecuado para una amplia gama de aplicaciones electrónicas de energía de alto voltaje y alta corriente

Áreas de aplicación

Suministros de alimentación de modo conmutado

Impulso del motor

Inversores

Electrónica industrial y de consumo

Ciclo de vida del producto

Actualmente en producción activa

No hay planes conocidos para la interrupción

Razones clave para elegir este producto

Excelentes características de rendimiento y eficiencia

Diseño robusto y confiable para aplicaciones exigentes

Amplio rango de temperatura de funcionamiento

Compatible con varios sistemas electrónicos de alta potencia

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las STMicroelectronics STB30N65M5

Atributo del producto STB30N65M5 STB30NF10T4 STB30N80K5 STB30N65M2AG
Número de pieza STB30N65M5 STB30NF10T4 STB30N80K5 STB30N65M2AG
Fabricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Serie MDmesh™ V STripFET™ II MDmesh™ K5 Automotive, AEC-Q101
Paquete del dispositivo D2PAK D2PAK D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 64 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V 30.8 nC @ 10 V
La disipación de energía (máximo) 140W (Tc) 115W (Tc) 250W (Tc) 190W (Tc)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
RDS (Max) @Id, Vgs 139mOhm @ 11A, 10V 45mOhm @ 15A, 10V 180mOhm @ 12A, 10V 180mOhm @ 10A, 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 22A (Tc) 35A (Tc) 24A (Tc) 20A (Tc)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2880 pF @ 100 V 1180 pF @ 25 V 1530 pF @ 100 V 1440 pF @ 100 V
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 100µA 4V @ 250µA
Característica de FET - - - -
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 650 V 100 V 800 V 650 V
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±25V ±20V ±30V ±25V
Número de producto base STB30 STB30 STB30 STB30
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STB30N65M5 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF STB30N65M5 y la documentación STMicroelectronics para STB30N65M5 - STMicroelectronics.

Hojas de datos
STx30N65M5.pdf
Diseño/especificación de PCN
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013.pdf IPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014.pdf
Embalaje de PCN
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf

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Comentarios de los clientes

Evaluación: 10 Artículos

  • Jess***Jones
    17/04/2026

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    17/04/2026

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

  • Aman***arris
    03/04/2026

    It was great—the entire process, from placing the order to receiving the package, went very smoothly. The components were consistent, the price was fair, and I had a very pleasant shopping experience.

  • Mike***nch
    03/04/2026

    Better than expected! The resistance and capacitance readings were spot-on, and it passed the test on the first try. The service was reliable, and the packaging was thoughtful—I highly recommend it.

  • Daic***K.
    23/03/2026

    Very good. No issue after long time testing.

  • Kevi***.
    17/03/2026

    Fast switching and stable output. Very satisfied with this IC

  • Daou***hekebkeb
    16/06/2024

    I had a great experience purchasing items from Allelcoelec, I recommend

  • Uri ***al
    19/06/2024

    Good comunication,
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  • Yaqu***l Ali
    19/06/2024

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  • Lea ***
    19/06/2024

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
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