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Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.
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Método de pago

STB30N65M2AG - STMicroelectronics

Fabricante Número de pieza
STB30N65M2AG
Fabricante
STMicroelectronics
Allelco Número de pieza
32D-STB30N65M2AG
Garantía
1 año de garantía Allelco - Descubre más
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
Embalaje
D²PAK (TO-263)
Ficha de datos
1.STB30N65M2AG.pdf ...

Hojas de datos

STB30N65M2AG.pdf
Estado RoHS
ROHS3 Cumplante
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Especificaciones

Especificaciones tecnológicas STB30N65M2AG
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de STMicroelectronics - STB30N65M2AG con especificaciones similares a STMicroelectronics - STB30N65M2AG

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo D²PAK (TO-263)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
RDS (Max) @Id, Vgs 180mOhm @ 10A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 190W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1440 pF @ 100 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 30.8 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 650 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)  
Número de producto base STB30  

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS ROHS3 Cumplante
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) 3 (168 Hours)
Estatus de alcance REACH Unaffected
ECCN EAR99

Introducción de piezas

Número de pieza del fabricante

STB30N65M2AG

Fabricante

Stmicroelectronics

Introducción

MOSFET de potencia N-canal de alto rendimiento con características de rendimiento superiores para aplicaciones automotrices.

Características del producto y rendimiento

Calificación de alto voltaje de 650V

Baja resistencia de 180mΩ

Corriente de drenaje continuo de 20a a 25 ° C

Rango de temperatura de funcionamiento amplio de -55 ° C a 150 ° C

Capacitancia de entrada baja de 1440pf

Disipación máxima de potencia de 190W

Ventajas de productos

Excelente fiabilidad y resistencia para uso automotriz

Admite aplicaciones de alto voltaje y alta corriente

Conversión de energía eficiente con bajas pérdidas

Adecuado para un entorno duro y operaciones de alta temperatura

Parámetros técnicos clave

Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 650V

Voltaje de puerta a fuente (VGS): ± 25V

En resistencia (RDS (ON)): 180mΩ @ 10a, 10V

Drame la corriente (ID): 20A (TC)

Capacitancia de entrada (CISS): 1440pf @ 100V

Disipación de potencia (PD): 190W (TC)

Características de calidad y seguridad

AEC-Q101 Automotive calificado

ROHS3 Cumplante

Compatibilidad

Adecuado para una amplia gama de aplicaciones automotrices e industriales

Áreas de aplicación

Sistemas automotrices (por ejemplo, unidades de motor, alimentadores, inversores)

Circuitos de conversión y control de energía industrial

Ciclo de vida del producto

Este producto está actualmente en producción y no está a punto de interrumpir.

Los modelos de reemplazo o actualización pueden estar disponibles en el futuro.

Razones clave para elegir este producto

Excelente rendimiento y confiabilidad para aplicaciones automotrices

Admite los requisitos de alto voltaje y de alta corriente

Conversión de energía eficiente con bajas pérdidas

Adecuado para entornos duros y operaciones de alta temperatura

Calificación automotriz y cumplimiento de ROHS

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las STMicroelectronics STB30N65M2AG

Atributo del producto STB30N65M2AG STB30N80K5 STB30N65M5 STB30NF10T4
Número de pieza STB30N65M2AG STB30N80K5 STB30N65M5 STB30NF10T4
Fabricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 650 V 800 V 650 V 100 V
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc) 24A (Tc) 22A (Tc) 35A (Tc)
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Número de producto base STB30 STB30 STB30 STB30
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
La disipación de energía (máximo) 190W (Tc) 250W (Tc) 140W (Tc) 115W (Tc)
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Característica de FET - - - -
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA 5V @ 100µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 30.8 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V 64 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1440 pF @ 100 V 1530 pF @ 100 V 2880 pF @ 100 V 1180 pF @ 25 V
Paquete del dispositivo D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D2PAK D2PAK
RDS (Max) @Id, Vgs 180mOhm @ 10A, 10V 180mOhm @ 12A, 10V 139mOhm @ 11A, 10V 45mOhm @ 15A, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±25V ±30V ±25V ±20V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie Automotive, AEC-Q101 MDmesh™ K5 MDmesh™ V STripFET™ II

STB30N65M2AG Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF STB30N65M2AG y la documentación STMicroelectronics para STB30N65M2AG - STMicroelectronics.

Hojas de datos
STB30N65M2AG.pdf
Embalaje de PCN
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf

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Comentarios de los clientes

Evaluación: 10 Artículos

  • Jess***Jones
    17/04/2026

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    17/04/2026

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

  • Aman***arris
    03/04/2026

    It was great—the entire process, from placing the order to receiving the package, went very smoothly. The components were consistent, the price was fair, and I had a very pleasant shopping experience.

  • Mike***nch
    03/04/2026

    Better than expected! The resistance and capacitance readings were spot-on, and it passed the test on the first try. The service was reliable, and the packaging was thoughtful—I highly recommend it.

  • Daic***K.
    23/03/2026

    Very good. No issue after long time testing.

  • Kevi***.
    17/03/2026

    Fast switching and stable output. Very satisfied with this IC

  • Daou***hekebkeb
    16/06/2024

    I had a great experience purchasing items from Allelcoelec, I recommend

  • Uri ***al
    19/06/2024

    Good comunication,
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  • Yaqu***l Ali
    19/06/2024

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  • Lea ***
    19/06/2024

    Morrey was very helpful and right on top of things!
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Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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