Número de pieza del fabricante
STB18N65M5
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
MOSFET de alto voltaje y alto rendimiento de canal N
Características del producto y rendimiento
Calificación de voltaje de drenaje a fuente de 650V
Baja resistencia de 220mΩ
Capacidad de alta corriente de hasta 15A
Rendimiento de conmutación rápida
Capacitancia de carga y entrada de baja puerta
Adecuado para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia
Ventajas de productos
Diseño robusto para aplicaciones de alto voltaje y alta potencia
Optimizado para la conversión de energía de alta eficiencia
Pérdida de energía reducida y mejor eficiencia del sistema
Paquete compacto DPAK (TO-263) para diseños de ahorro de espacio
Parámetros técnicos clave
Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 650V
Voltaje máximo de puerta a fuente (VGS): ± 25V
En resistencia (RDS (ON)): 220MΩ @ 7.5a, 10V
Corriente de drenaje continuo (ID): 15A @ 25 ° C
Capacitancia de entrada (CISS): 1240pf @ 100V
Disipación de potencia (TC): 110W
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Aislamiento reforzado para operación de alto voltaje
Diseño robusto para un rendimiento confiable
Compatibilidad
Adecuado para una amplia gama de aplicaciones de conmutación de alta potencia de alto voltaje
Áreas de aplicación
Suministros de alimentación de modo de interruptor (SMPS)
Impulso del motor
Inversores
Suministros ininterrumpidos (UPS)
Automatización y control industrial
Ciclo de vida del producto
Este producto todavía está en producción activa y no está a punto de interrumpir
Opciones de reemplazo/actualización disponibles para futuras necesidades
Razones clave para elegir este producto
Excelente capacidad de manejo de potencia y alta calificación de voltaje
Optimizado para la conversión de energía de alta eficiencia
Diseño robusto y confiable para aplicaciones exigentes
Paquete DPAK compacto para diseños de ahorro de espacio
Amplia compatibilidad e idoneidad para varias aplicaciones de alta potencia
STB170NF04 MOSSTMicroelectronics
STB190NF04SR