Número de pieza del fabricante
L6385ED013TR
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
Conductor de medio puente de alto voltaje con comparador integrado para IGBT y MOSFETS
Características del producto y rendimiento
Riel de alto voltaje de hasta 600 V
Inmunidad DV/DT ± 50 V/nanosegundo en un rango de temperatura completa
Capacidad de corriente del controlador: fuente de 400 mA, fregadero de 650 mA
Tiempos de conmutación 50 Ns Aumento / 30 ns Caída con 1 carga NF
Entradas de gatillo CMOS/TTL Schmitt con histéresis y desplegable
3 V / 5 V / 15 V Compatible de entrada lógica
Diodo de arranque integrado
Comparador no comprometido para la protección de fallas
Ventajas de productos
Optimizado para la conducción MOSFET IGBT y N-canal
Características incorporadas para una mejor confiabilidad del sistema
Inmunidad de alto ruido
Las funciones integradas reducen el recuento de componentes
Parámetros técnicos clave
Voltaje de suministro (máximo): 17V
Voltaje lógico - VIL, VIH: 1.5V, 3.6V
Current - Salida máxima: fuente de 400 mA, fregadero de 650 mA
Voltaje lateral alto (Bootstrap): hasta 600 V
Rise / caída del tiempo: 50ns / 30ns
Temperatura de funcionamiento: -40 ° C ~ 150 ° C
Tipo de montaje: soporte de superficie
Paquete: 8-SOIC
Tipo de canal: independiente
Número de conductores: 2
Configuración impulsada: medio puente
Características de calidad y seguridad
Temperatura de funcionamiento de amplio rango para entornos hostiles
Inmunidad robusta de DV/DT para condiciones ruidosas
Compatibilidad
Compatible con IGBTS y MOSFET de potencia de N-canal
Entrada lógica compatible con señales impulsadas por 3.3V, 5V y 15 V
Áreas de aplicación
Control y unidades de motor
Fuente de alimentación y convertidores
Conmutación de encendido
Automatización industrial
Ciclo de vida del producto
Estado del producto: activo
Sin interrupción indicada, por lo tanto, se esperaba la disponibilidad a largo plazo
Varias razones clave para elegir este producto
Versatilidad con la compatibilidad de IGBT y N-Channel MOSFET
Altamente integrado con el diodo de arranque para minimizar los componentes externos
Características de seguridad y protección mejoradas para operaciones confiables
Excelente inmunidad de ruido para un rendimiento estable en entornos eléctricamente ruidosos
Adecuado para una amplia gama de aplicaciones industriales
Capacidad de funcionamiento de alta temperatura para condiciones exigentes
Facilidad de uso con el paquete de montaje de superficie para diseños modernos de PCB
L6386ESTMicroelectronicsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP
L6384EDSTMicroelectronicsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
L6386-PLFSTMicroelectronics
L6385STMicroelectronicsIC GATE DRVR HALF-BRIDG 8MINIDIP
L6386EDSTMicroelectronicsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
L6386
L6386ADSTMicroelectronicsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
L6386ADTRSTMicroelectronicsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO