Número de pieza del fabricante
L6384ED013TR
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
IC de controlador de compuerta de medio puente para IGBT y MOSFETS
Características del producto y rendimiento
Canales independientes duales
Capacidad de accionamiento sincrónico
Diodo de arranque integrado
Operación de alto voltaje de hasta 600 V
Tiempos de baja altura y caída para el cambio rápido
Amplio rango de voltaje de suministro 14.6V a 16.6V
Ventajas de productos
Rendimiento térmico robusto
Durabilidad mejorada para operaciones de alta frecuencia
Conducción eficiente de IGBT y N-canal MOSFET
Alta inmunidad contra DV/DT
Parámetros técnicos clave
Configuración impulsada por el medio puente
Tipo de canal sincrónico
Número de conductores: 2
Tipo de puerta: IGBT, N-canal MOSFET
Voltaje de suministro: 14.6V ~ 16.6V
Voltaje lógico - VIL: 1.5V, VIH: 3.6V
Corriente - salida máxima (fuente, sumidero): 400 mA, 650 mA
Voltaje lateral alto - Max (Bootstrap): 600 V
Tiempo de elevación (typ): 50ns
Tiempo de otoño (typ): 30ns
Temperatura de funcionamiento: -45 ° C ~ 125 ° C (TJ)
Características de calidad y seguridad
Capacidad de alta tensión
Protección de apagado térmico
Bloqueo de bajo voltaje
Compatibilidad
Compatible con IGBT y N-Channel Mosfets
Amplia gama de voltajes de entrada lógica para la interfaz versátil
Áreas de aplicación
Control del motor
Suministros de alimentación del modo de conmutación
Corrección del factor de potencia
Circuitos de inversor
Sistemas de gestión de energía
Ciclo de vida del producto
Actualmente activo
No se acerca a la interrupción
Actualizaciones futuras o reemplazos disponibles si es necesario
Razones clave para elegir este producto
Alta eficiencia y menor disipación de energía para ahorros de energía
Capaz de conducir una amplia gama de transistores de energía
Retrasos de propagación mínima para un control preciso
Diseño robusto adecuado para entornos duros
Versatilidad en múltiples aplicaciones
Disponible y soporte de STMicroelectronics
L6385ED013STM
L6382DLSTMicroelectronics