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CSD13306WT - Texas Instruments

Fabricante Número de pieza
CSD13306WT
Fabricante
Texas Instruments
Allelco Número de pieza
32D-CSD13306WT
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
Embalaje
6-UFBGA, DSBGA
Ficha de datos
Carrier Tape 28/Aug/2018.pdf
DSBGA/Usip 14/Sep/2016.pdf
DSBGA/uSIP 22/Jun/2016.pdf
Estado RoHS
ROHS3 Cumplante
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Especificaciones

Especificaciones tecnológicas CSD13306WT
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Texas Instruments - CSD13306WT con especificaciones similares a Texas Instruments - CSD13306WT

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @Id 1.3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo 6-DSBGA (1x1.5)  
Serie NexFET™  
RDS (Max) @Id, Vgs 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V  
La disipación de energía (máximo) 1.9W (Ta)  
Paquete / Cubierta 6-UFBGA, DSBGA  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1370 pF @ 6 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 11.2 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 12 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A (Ta)  
Número de producto base CSD13306  

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS ROHS3 Cumplante
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estatus de alcance REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Introducción de piezas

Número de pieza del fabricante

CSD13306WT

Fabricante

Instrumentos de Texas

Introducción

MOSFET de potencia N-canal de alto rendimiento en un paquete en miniatura 6-DSBGA (1x1.5)

Características del producto y rendimiento

ROHS3 Cumplante

Tecnología NEXFET para alta eficiencia y baja resistencia

Optimizado para aplicaciones de conversión de potencia de alta frecuencia y alta frecuencia

Opera a una temperatura de unión de hasta 150 ° C

Capacitancia de carga de puerta baja y entrada para conmutación eficiente

Ventajas de productos

Paquete extremadamente pequeño y delgado para diseños con restricciones espaciales

Alta densidad de potencia y eficiencia

Rendimiento confiable y robusto

Parámetros técnicos clave

Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 12V

Voltaje máximo de fuente de puerta (VGS): ± 10V

En resistencia (RDS (ON)): 10.2MΩ @ 1.5a, 4.5V

Corriente de drenaje continuo (ID): 3.5A @ 25 ° C

Capacitancia de entrada (CISS): 1370pf @ 6V

Disipación de potencia (máximo): 1.9W @ 25 ° C

Características de calidad y seguridad

Tecnología MOSFET para operación confiable y estable

ROHS3 Cumple con la responsabilidad ambiental

Compatibilidad

Paquete de montaje en superficie para una fácil integración en varios diseños de circuitos

Áreas de aplicación

Aplicaciones de conversión de potencia de alta densidad y alta frecuencia

Electrónica automotriz

Electrónica industrial y de consumo

Ciclo de vida del producto

Producción actual, sin planes de interrupción

Reemplazos y actualizaciones disponibles a medida que avanza tecnología

Razones clave para elegir este producto

Paquete extremadamente compacto y de ahorro de espacio

Alta eficiencia y baja resistencia para mejorar la densidad de potencia

Rendimiento confiable y robusto en un amplio rango de temperatura

Adecuado para una variedad de aplicaciones de conversión de energía de alta frecuencia

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Texas Instruments CSD13306WT

Atributo del producto CSD13306WT CSD13385F5 CSD13380F3 CSD13201W10
Número de pieza CSD13306WT CSD13385F5 CSD13380F3 CSD13201W10
Fabricante Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Característica de FET - - - -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paquete del dispositivo 6-DSBGA (1x1.5) 3-PICOSTAR 3-PICOSTAR 4-DSBGA (1x1)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±10V 8V 8V ±8V
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @Id 1.3V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.3V @ 250µA 1.1V @ 250µA
Paquete / Cubierta 6-UFBGA, DSBGA 3-SMD, No Lead 3-XFDFN 4-UFBGA, DSBGA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A (Ta) 4.3A (Ta) 3.6A (Ta) 1.6A (Ta)
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1370 pF @ 6 V 674 pF @ 6 V 156 pF @ 6 V 462 pF @ 6 V
RDS (Max) @Id, Vgs 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V 19mOhm @ 900mA, 4.5V 76mOhm @ 400mA, 4.5V 34mOhm @ 1A, 4.5V
Serie NexFET™ FemtoFET™ FemtoFET™ NexFET™
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 11.2 nC @ 4.5 V 5 nC @ 4.5 V 1.2 nC @ 4.5 V 2.9 nC @ 4.5 V
La disipación de energía (máximo) 1.9W (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 1.2W (Ta)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 12 V 12 V 12 V 12 V
Número de producto base CSD13306 CSD13385 CSD13380 CSD13201

CSD13306WT Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF CSD13306WT y la documentación Texas Instruments para CSD13306WT - Texas Instruments.

Dibujos 2d
Carrier Tape 28/Aug/2018.pdf DSBGA/Usip 14/Sep/2016.pdf DSBGA/uSIP 22/Jun/2016.pdf

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Comentarios de los clientes

Evaluación: 17 Artículos

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Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
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Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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