Número de pieza del fabricante
CSD13381F4
Fabricante
Instrumentos de Texas
Introducción
NEXFET POWER MOSFET de NEXFET de alto rendimiento
Características del producto y rendimiento
Baja resistencia a alta eficiencia
Velocidad de conmutación rápida
Alta densidad de potencia
Optimizado para convertidores DC/DC, unidades de motor y suministros de alimentación
Ventajas de productos
Excelente rendimiento térmico
Diseño robusto
Alta fiabilidad
Parámetros técnicos clave
Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 12 V
VGS (máximo): 8 V
Rds on (max) @ id, VGS: 180 mohm @ 500 mA, 4.5 V
Drenaje continuo actual (id) @ 25 ° C: 2.1 A
Capacitancia de entrada (CISS) (Max) @ VDS: 200 pf @ 6 V
Disipación de potencia (Max): 500 MW
Vgs (th) (max) @ id: 1.1 v @ 250 a
Voltaje de accionamiento (máximo rds encendido, min rds encendido): 1.8 V, 4.5 V
Gate Charge (QG) (Max) @ VGS: 1.4 NC @ 4.5 V
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Diseño confiable y robusto
Compatibilidad
Adecuado para una amplia gama de aplicaciones, incluidos los convertidores DC/DC, las unidades de motor y los suministros de energía
Áreas de aplicación
Ideal para su uso en aplicaciones de gestión de energía, control motor y electrónica industrial
Ciclo de vida del producto
Actualmente disponible, no se planifica la interrupción o el reemplazo
Razones clave para elegir este producto
Excelente rendimiento, eficiencia y confiabilidad
Optimizado para aplicaciones críticas de energía
Diseño robusto y compatible con ROHS
Amplia compatibilidad e idoneidad para diversas aplicaciones
CSD13202Q2Texas InstrumentsMOSFET N-CH 12V 22A 6WSON
CSD13306WTTexas InstrumentsMOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
CSD13302WTexas InstrumentsMOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA