- Jess***Jones
- 17/04/2026
Hojas de datos
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| Cantidad | Precio unitario | Precio subtotal |
|---|---|---|
| 1+ | $10.621 | $10.62 |
| 10+ | $9.951 | $99.51 |
| 30+ | $9.225 | $276.75 |
| 90+ | $8.592 | $773.28 |
Especificaciones tecnológicas IV1Q12050T4
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Inventchip - IV1Q12050T4 con especificaciones similares a Inventchip - IV1Q12050T4
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | Inventchip | |
| VGS (th) (Max) @Id | 3.2V @ 6mA | |
| Vgs (Max) | +20V, -5V | |
| Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Paquete del dispositivo | TO-247-4 | |
| Serie | - | |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 65mOhm @ 20A, 20V | |
| La disipación de energía (máximo) | 344W (Tc) | |
| Paquete / Cubierta | TO-247-4 | |
| Paquete | Tube |
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2750 pF @ 800 V | |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 120 nC @ 20 V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Característica de FET | - | |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 20V | |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 1200 V | |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 58A (Tc) |
| ATRIBUTO | DESCRIPCIóN |
|---|---|
| Estado RoHS | ROHS3 Cumplante |
| Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| ECCN | EAR99 |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Inventchip IV1Q12050T4
| Atributo del producto | ![]() |
![]() |
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|
|---|---|---|---|---|
| Número de pieza | IV1Q12050T4 | IV1Q12050T3 | IV1Q12160T4 | IV1215SA |
| Fabricante | Inventchip | Inventchip | Inventchip | XP Power |
| Tipo FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
| Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) | SiCFET (Silicon Carbide) | SiCFET (Silicon Carbide) | - |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 58A (Tc) | 58A (Tc) | 20A (Tc) | - |
| Serie | - | - | - | IV (1W) |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 65mOhm @ 20A, 20V | 65mOhm @ 20A, 20V | 195mOhm @ 10A, 20V | - |
| VGS (th) (Max) @Id | 3.2V @ 6mA | 3.2V @ 6mA | 2.9V @ 1.9mA | - |
| Vgs (Max) | +20V, -5V | +20V, -5V | +20V, -5V | - |
| Paquete | Tube | Tube | Tube | Tube |
| La disipación de energía (máximo) | 344W (Tc) | 327W (Tc) | 138W (Tc) | - |
| Paquete del dispositivo | TO-247-4 | TO-247-3 | TO-247-4 | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 20V | 20V | 20V | - |
| Característica de FET | - | - | - | - |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2750 pF @ 800 V | 2770 pF @ 800 V | 885 pF @ 800 V | - |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 1200 V | 1200 V | 1200 V | - |
| Tipo de montaje | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 120 nC @ 20 V | 120 nC @ 20 V | 43 nC @ 20 V | - |
| Paquete / Cubierta | TO-247-4 | TO-247-3 | TO-247-4 | 7-SIP Module, 4 Leads |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 85°C |
Descargue las hojas de datos PDF IV1Q12050T4 y la documentación Inventchip para IV1Q12050T4 - Inventchip.
IV1Q12050T3InventchipSIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247
IV1D12010T2InventchipDIODE SIL CARB 1.2KV 30A TO247-2
IV1D12020T3InventchipSIC DIODE, 1200V 20A(10A/LEG), T
IV1D12005O2InventchipDIODE SIL CARB 1.2KV 17A TO220-2
IV1D12015T2InventchipDIODE SIL CARB 1.2KV 44A TO247-2
IV1D12010O2InventchipDIODE SIL CARB 1.2KV 28A TO220-2
IV1D12020T2InventchipDIODE SIL CARB 1.2KV 54A TO247-2
IV1D06006P3InventchipDIODE SIC 650V 16.7A TO252-3
IV1D12040U2InventchipSIC DIODE, 1200V 40A, TO-247-2
IV1Q12160T4InventchipSIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO-24
IV1D12030U3InventchipSIC DIODE, 1200V 30A(15A/LEG), T
IV1D06006O2InventchipDIODE SIL CARB 650V 17.4A TO220Su dirección de correo electrónico no se publicará.
| Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
|---|---|---|
| Región | País | Hora logística (día) |
| America | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemania | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oceanía | Australia | 6 |
| Nueva Zelanda | 5 | |
| Asia | India | 4 |
| Japón | 4 | |
| Oriente Medio | Israel | 6 |
| Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
|---|---|
| Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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