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IRF9530NPBF Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRF9530NPBF - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRF9530NPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRF9530NPBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
Descripción detallada
Embalaje
TO-220-3
Ficha de datos
IRF9530NPBF.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 64080

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRF9530NPBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRF9530NPBF con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRF9530NPBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-220AB  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 200mOhm @ 8.4A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 79W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-220-3  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 58 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Tc)  
Número de producto base IRF9530  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRF9530NPBF

Atributo del producto IRF9530NPBF IRF9530 IRF9520STRRPBF IRF9530NSTRLPBF
Número de pieza IRF9530NPBF IRF9530 IRF9520STRRPBF IRF9530NSTRLPBF
Fabricante Infineon Technologies Harris Corporation Vishay Siliconix Infineon Technologies
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Número de producto base IRF9530 - IRF9520 IRF9530
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 58 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 58 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 25 V 500 pF @ 25 V 390 pF @ 25 V 760 pF @ 25 V
Paquete del dispositivo TO-220AB TO-220AB D²PAK (TO-263) D2PAK
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V 100 V 100 V 100 V
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Tc) 12A (Tc) 6.8A (Tc) 14A (Tc)
Paquete Tube Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Característica de FET - - - -
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Paquete / Cubierta TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
La disipación de energía (máximo) 79W (Tc) 75W (Tc) 3.7W (Ta), 60W (Tc) 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
RDS (Max) @Id, Vgs 200mOhm @ 8.4A, 10V 300mOhm @ 6.5A, 10V 600mOhm @ 4.1A, 10V 200mOhm @ 8.4A, 10V
Serie HEXFET® - - HEXFET®

IRF9530NPBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRF9530NPBF y la documentación Infineon Technologies para IRF9530NPBF - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
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Europa Alemania 5
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Italia 5
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Japón 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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