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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRF9530NSTRLPBF
IRF9530NSTRLPBF Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRF9530NSTRLPBF - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRF9530NSTRLPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRF9530NSTRLPBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Descripción detallada
Embalaje
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ficha de datos
IRF9530NSTRLPBF.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 36240

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRF9530NSTRLPBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRF9530NSTRLPBF con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRF9530NSTRLPBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo D2PAK  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 200mOhm @ 8.4A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 3.8W (Ta), 79W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 58 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Tc)  
Número de producto base IRF9530  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRF9530NSTRLPBF

Atributo del producto IRF9530NSTRLPBF IRF9530STRRPBF IRF9530STRLPBF IRF9530NS
Número de pieza IRF9530NSTRLPBF IRF9530STRRPBF IRF9530STRLPBF IRF9530NS
Fabricante Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies
RDS (Max) @Id, Vgs 200mOhm @ 8.4A, 10V 300mOhm @ 7.2A, 10V 300mOhm @ 7.2A, 10V 200mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Tc) 12A (Tc) 12A (Tc) 14A (Tc)
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Número de producto base IRF9530 IRF9530 IRF9530 -
Característica de FET - - - -
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 58 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 58 nC @ 10 V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V 100 V 100 V 100 V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie HEXFET® - - HEXFET®
La disipación de energía (máximo) 3.8W (Ta), 79W (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paquete del dispositivo D2PAK D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D2PAK
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 25 V 860 pF @ 25 V 860 pF @ 25 V 760 pF @ 25 V
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

IRF9530NSTRLPBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRF9530NSTRLPBF y la documentación Infineon Technologies para IRF9530NSTRLPBF - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
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Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
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Nueva Zelanda 5
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Japón 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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