Número de pieza del fabricante
IPD50R2K0CEAUMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Introducción
IPD50R2K0CEAUMA1 de Infineon es un transistor MOSFET N-Channel de alto rendimiento diseñado para diversas aplicaciones electrónicas de energía.
Características del producto y rendimiento
Calificación de voltaje de fuente de drenaje de 500 V
Resistencia máxima en el estado de 2Ω a 600 mA, 13V
4A Corriente de drenaje continuo a 25 ° C
124pf Capacitancia de entrada máxima a 100V
33W Disipación máxima de potencia en TC
Ventajas de productos
Excelente eficiencia energética a través de baja resistencia en el estado
Capacidad de manipulación de alto voltaje
Compacto al paquete de 252-3 para diseños con restricciones espaciales
Adecuado para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia
Parámetros técnicos clave
Voltaje de fuente de drenaje (VDSS): 500V
Voltaje de fuente de puerta (VGS): ± 20V
Resistencia en el estado (RDS (ON)): 2Ω @ 600 mA, 13V
Corriente de drenaje (ID): 2.4a @ 25 ° C
Capacitancia de entrada (CISS): 124pf @ 100V
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Adecuado para una operación de alta temperatura de hasta 150 ° C
Compatibilidad
El IPD50R2K0CEAUMA1 es compatible con una amplia gama de aplicaciones electrónicas de energía, que incluyen:
Suministros de alimentación de modo de interruptor
Impulso del motor
Luz de las balastos de iluminación
Equipo de automatización industrial
Áreas de aplicación
Conversión de potencia
Control del motor
Sistemas de iluminación
Electrónica industrial
Ciclo de vida del producto
El IPD50R2K0Ceauma1 es un producto activo, e Infineon continúa brindando soporte y disponibilidad.Las actualizaciones y los reemplazos pueden estar disponibles en el futuro a medida que avanza la tecnología.
Razones clave para elegir este producto
Excelente eficiencia energética a través de baja resistencia en el estado
Capacidad de manipulación de alto voltaje para aplicaciones versátiles
Embalaje compacto para diseños con restricciones espaciales
Adecuado para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia
Operación confiable a altas temperaturas de hasta 150 ° C
Cumplimiento de ROHS3 para uso ecológico
IPD50R250CP 5R250PCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
IPD50R380CECypress Semiconductor (Infineon Technologies)
IPD50R380CFINF
IPD50R2K0CEInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFET CE