Número de pieza del fabricante
IPD50R1K4CEBTMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Introducción
Este es un producto semiconductor discreto, específicamente un transistor - FET, MOSFET - Single.
Características del producto y rendimiento
Rango de temperatura de funcionamiento: -55 ° C a 150 ° C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 500 V
Voltaje máximo de puerta a fuente (VGS): ± 20 V
Resistencia máxima en el estado (RDS (ON)): 1.4 Ω @ 900 mA, 13 V
Corriente de drenaje continuo (id) @ 25 ° C (TC): 3.1 A
Capacitancia de entrada (CISS) (max) @ 100 V: 178 pf
Disipación máxima de potencia (TC): 25 W
Mosfet de canal N
Voltaje de umbral máximo (VGS (TH)) @ 70 A: 3.5 V
Voltaje de accionamiento (Max RDS (ON), Min RDS (ON)): 13 V
Carga máxima de puerta (QG) @ 10 V: 1 NC
Ventajas de productos
Capacidad de alta tensión
Baja resistencia en el estado
Alta corriente de drenaje continuo
Parámetros técnicos clave
Número de pieza del fabricante: IPD50R1K4CEBTMA1
Paquete: TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Serie: CoolMos CE
Embalaje: cinta y carrete (tr)
Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
Tipo de montaje: soporte de superficie
Características de calidad y seguridad
Diseñado y fabricado por Infineon Technologies, una compañía de semiconductores de buena reputación
Compatibilidad
Este MOSFET es compatible con una amplia gama de circuitos y sistemas electrónicos que requieren un dispositivo de conmutación de alta voltaje y baja resistencia.
Áreas de aplicación
Adecuado para su uso en fuentes de alimentación, unidades de motor y otras aplicaciones de electrónica de energía.
Ciclo de vida del producto
Este producto está actualmente disponible y no está cerca de la interrupción.
Las opciones de reemplazo o actualización pueden estar disponibles en Infineon Technologies u otros fabricantes de MOSFET.
Varias razones clave para elegir este producto
Capacidad de alto voltaje (500 V)
Baja resistencia en el estado (1.4 Ω)
Alta corriente de drenaje continuo (3.1 A)
Rango de temperatura de funcionamiento amplio (-55 ° C a 150 ° C)
Fabricado por una compañía de semiconductores acreditada (Infineon Technologies)
Paquete de montaje en superficie para una fácil integración en circuitos electrónicos
IPD50R1K4CEAUMA1Infineon
IPD50P04P4L11Infineon
IPD50R1K4CECypress Semiconductor (Infineon Technologies)
IPD50R2K0CEInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFET CE