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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaSI2365EDS-T1-GE3
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Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.
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SI2365EDS-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Fabricante Número de pieza
SI2365EDS-T1-GE3
Fabricante
Vishay / Siliconix
Allelco Número de pieza
32D-SI2365EDS-T1-GE3
Garantía
1 año de garantía Allelco - Descubre más
Estado del stock:
383,800 unidades disponibles, nuevas y originales
Descripción de piezas
MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236
Embalaje
SOT-23-3 (TO-236)
Ficha de datos
SI2365EDS-T1-GE.pdf

Hojas de datos

SI2365EDS.pdf

Información ambiental

Material Compliance.pdf

Ensamblaje de PCN/origen

New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf
Estado RoHS
ROHS3 Cumplante
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Nuestra certificación
Existencias disponibles: 383800
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50+ $0.089 $4.45
150+ $0.08 $12.00
500+ $0.061 $30.50
3000+ $0.056 $168.00
6000+ $0.053 $318.00
Los precios anteriores no incluyen impuestos ni gastos de transporte, que se calcularán en las páginas de pedido.

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas SI2365EDS-T1-GE3
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Vishay Siliconix - SI2365EDS-T1-GE3 con especificaciones similares a Vishay Siliconix - SI2365EDS-T1-GE3

Atributo del producto Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±8V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo SOT-23-3 (TO-236)
Serie TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs 32mOhm @ 4A, 4.5V
La disipación de energía (máximo) 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Paquete / Cubierta TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete Tape & Reel (TR)
Atributo del producto Valor del atributo
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 36 nC @ 8 V
Tipo FET P-Channel
Característica de FET -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 5.9A (Tc)
Número de producto base SI2365

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS ROHS3 Cumplante
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estatus de alcance REACH Unaffected
ECCN EAR99

Introducción de piezas

SI2365EDS-T1-GE3 Image
SI2365EDS-T1-GE3 (1)

Número de pieza del fabricante

Si2365EDS-T1-GE3

Fabricante

Vishay / Siliconix

Introducción

Producto de semiconductores discretos

FET de un solo transistor, Mosfet

Características del producto y rendimiento

Canal P MOSFET

Calificación de potencia: 1W (TA), 1.7W (TC)

Corriente de drenaje continuo: 5.9a (TC)

Voltaje de fuente de drenaje: 20V

Voltaje de fuente de puerta: ± 8V

En resistencia: 32mΩ @ 4a, 4.5V

CARGA DE GATE: 36NC @ 8V

Temperatura de funcionamiento: -55 ° C a 150 ° C

Ventajas de productos

Alta densidad de potencia

Disipación de calor eficiente

Rendimiento confiable

Parámetros técnicos clave

Tecnología de transistores: MOSFET (óxido de metal)

Paquete: SOT-23-3 (TO-236)

Tipo de montaje: soporte de superficie

Características de calidad y seguridad

ROHS3 Cumplante

Compatibilidad

Compatible con una amplia gama de circuitos y aplicaciones electrónicas

Áreas de aplicación

Adecuado para su uso en diversos circuitos de administración, conmutación y control

Ciclo de vida del producto

Producto activo, no se identifican planes de interrupción o reemplazo

Razones clave para elegir este producto

Capacidades de manejo de potencia optimizado

Diseño de paquetes compacto y eficiente

Rendimiento confiable y robusto en entornos duros

Adecuado para diversas aplicaciones de circuitos electrónicos

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Vishay Siliconix SI2365EDS-T1-GE3

Atributo del producto SI2365EDS-T1-BE3 SI2366DS-T1-GE3 SI2356DS-T1-GE3 SI2356DS-T1-BE3
Número de pieza SI2365EDS-T1-BE3 SI2366DS-T1-GE3 SI2356DS-T1-GE3 SI2356DS-T1-BE3
Fabricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
RDS (Max) @Id, Vgs - - - -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) - - - -
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C - - - -
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs - - - -
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las - - - -
Paquete del dispositivo - 196-NFBGA (12x12) 16-PDIP 64-VQFN (9x9)
Tipo de montaje - Surface Mount Through Hole Surface Mount
La disipación de energía (máximo) - - - -
Paquete / Cubierta - 196-LFBGA 16-DIP (0.300', 7.62mm) 64-VFQFN Exposed Pad
Tecnología - - - -
Número de producto base - DAC34H84 MAX500 ADS62P42
Temperatura de funcionamiento - -40°C ~ 85°C 0°C ~ 70°C -40°C ~ 85°C
Vgs (Max) - - - -
Serie - - - -
Característica de FET - - - -
Tipo FET - - - -
Paquete - Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @Id - - - -

SI2365EDS-T1-GE3 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF SI2365EDS-T1-GE3 y la documentación Vishay Siliconix para SI2365EDS-T1-GE3 - Vishay Siliconix.

Hojas de datos
SI2365EDS.pdf
Información ambiental
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Comentarios de los clientes

Evaluación: 10 Artículos

  • Emil***rperTech
    23/06/2026

    Works exactly as described. I used it as a USB-to-SPI bridge in a small MCU development project and communication was stable from the first setup.

  • Liam***terTech
    15/06/2026

    Used this CPLD in a logic control project. Programming was straightforward and signal timing matched the design requirements.

  • Nath***rooks
    11/06/2026

    Installed this power component in a converter board. Output remained stable under different load conditions and thermal performance was better than expected.

  • Dani***alkerTech
    01/06/2026

    Product works, but setup took more effort than expected. Once configured the MCU ran reliably, although documentation support felt older compared with newer platforms. Fine for maintenance projects.

  • Yuki***aka88
    26/05/2026

    信号通信プロジェクトでこのRS-485トランシーバーを使用しました。設置は簡単で、長距離ケーブルでも通信は安定していました。消費電力も、以前使用していたものより低くなっています。

  • Stev***aker
    20/05/2026

    Solid diode for power rectification. Works well in switching circuits.

  • Bran***Lewis
    11/05/2026

    Compact FPGA with good performance. Suitable for basic signal processing tasks.

  • Oliv***arris
    07/05/2026

    Reliable I/O expander. Works well in embedded control applications.

  • Jess***Jones
    17/04/2026

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    17/04/2026

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

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Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
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Europa Alemania 5
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Japón 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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Inspección de calidad
Quality Inspection Image - 01
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Todos los componentes sensibles a la electrostática se manipulan de acuerdo con los procedimientos de control de descargas electrostáticas.Los productos están sellados herméticamente en envases antiestáticos seguros para evitar daños electrostáticos.También se aplica un etiquetado adecuado para su identificación y trazabilidad.Esto garantiza la integridad del producto durante el almacenamiento, manipulación y transporte.


ESD

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  • ISO 13485: 2016
  • ISO 14001: 2015
  • ISO 28000: 2007
  • ISO 45001: 2018
  • GB/T 27922-2011
  • SMTA
  • IPC
  • ESD
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