- Jess***Jones
- 17/04/2026
Hojas de datos
S3A - S3M.pdfPCN obsolescencia/ EOL
PCN-DD-025-2012-Rev-0 28/Nov/2012.pdfEspecificaciones tecnológicas S3BHE3/57T
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Vishay General Semiconductor - Diodes Division - S3BHE3/57T con especificaciones similares a Vishay General Semiconductor - Diodes Division - S3BHE3/57T
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.15 V @ 2.5 A | |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 100 V | |
| Tecnología | Standard | |
| Paquete del dispositivo | DO-214AB (SMC) | |
| Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 | |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 2.5 µs |
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Paquete / Cubierta | DO-214AB, SMC | |
| Paquete | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 10 µA @ 100 V | |
| Corriente - rectificada media (Io) | 3A | |
| Capacitancia Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz | |
| Número de producto base | S3B |
| ATRIBUTO | DESCRIPCIóN |
|---|---|
| Estado RoHS | ROHS3 Cumplante |
| Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estatus de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Vishay General Semiconductor - Diodes Division S3BHE3/57T
| Atributo del producto | ![]() |
![]() |
||
|---|---|---|---|---|
| Número de pieza | S3BHE3/9AT | S3BHE3-TP | S3BBHE3-TP | S3BHE3_A/I |
| Fabricante | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Micro Commercial Co | Micro Commercial Co | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Serie | - | - | - | - |
| Paquete / Cubierta | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Paquete | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | - | - | - | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - | - | - | - |
| Velocidad | - | - | - | - |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | - | - | - | - |
| Número de producto base | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| Paquete del dispositivo | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Tecnología | - | - | - | - |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | - | - | - | - |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | - | - | - | - |
| Capacitancia Vr, F | - | - | - | - |
| Corriente - rectificada media (Io) | - | - | - | - |
| Tipo de montaje | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
Descargue las hojas de datos PDF S3BHE3/57T y la documentación Vishay General Semiconductor - Diodes Division para S3BHE3/57T - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.
S3BHE3-TPMicro Commercial CoInterface
S3BBHE3-TPMicro Commercial CoInterface
S3BB-TPMicro Commercial CoDIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA
S3BR25FSemtech CorporationBRIDGE RECT 3PHASE 2.5KV 500MA
S3BR20Semtech CorporationBRIDGE RECT 3PHASE 2KV 500MA
S3BR10Semtech CorporationBRIDGE RECT 3PHASE 1KV 2A
S3BR05Semtech CorporationBRIDGE RECT 3PHASE 50V 2ASu dirección de correo electrónico no se publicará.
| Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
|---|---|---|
| Región | País | Hora logística (día) |
| America | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemania | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oceanía | Australia | 6 |
| Nueva Zelanda | 5 | |
| Asia | India | 4 |
| Japón | 4 | |
| Oriente Medio | Israel | 6 |
| Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
|---|---|
| Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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