- Jess***Jones
- 17/04/2026
Hojas de datos
S1A, S1B, S1D, S1G, S1J, S1K, S1M.pdfEnsamblaje de PCN/origen
Multiple Parts 21/Jun/2022.pdf¿Quieres un mejor precio?
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| Cantidad | Precio unitario | Precio subtotal |
|---|---|---|
| 1+ | $0.083 | $0.08 |
| 200+ | $0.033 | $6.60 |
| 500+ | $0.032 | $16.00 |
| 1000+ | $0.031 | $31.00 |
Especificaciones tecnológicas S1G-M3/5AT
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Vishay General Semiconductor - Diodes Division - S1G-M3/5AT con especificaciones similares a Vishay General Semiconductor - Diodes Division - S1G-M3/5AT
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.1 V @ 1 A | |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 400 V | |
| Tecnología | Standard | |
| Paquete del dispositivo | DO-214AC (SMA) | |
| Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| Serie | - | |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 1.8 µs |
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Paquete / Cubierta | DO-214AC, SMA | |
| Paquete | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 1 µA @ 400 V | |
| Corriente - rectificada media (Io) | 1A | |
| Capacitancia Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz | |
| Número de producto base | S1G |
| ATRIBUTO | DESCRIPCIóN |
|---|---|
| Estado RoHS | ROHS3 Cumplante |
| Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estatus de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1G-M3/5AT
| Atributo del producto | ||||
|---|---|---|---|---|
| Número de pieza | S1G-E3/5AT | S1G-M3/61T | S1G-E3/61T | S1G-JR3 |
| Fabricante | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Paquete | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | - | - | - | - |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | - | - | - | - |
| Velocidad | - | - | - | - |
| Tecnología | - | - | - | - |
| Número de producto base | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| Paquete del dispositivo | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Serie | - | - | - | - |
| Tipo de montaje | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - | - | - | - |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | - | - | - | - |
| Corriente - rectificada media (Io) | - | - | - | - |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | - | - | - | - |
| Paquete / Cubierta | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Capacitancia Vr, F | - | - | - | - |
Descargue las hojas de datos PDF S1G-M3/5AT y la documentación Vishay General Semiconductor - Diodes Division para S1G-M3/5AT - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.
S1G-TPMicro Commercial CoDIODE GP 400V 1A DO214AA HSMB
S1G-T1PTP
S1G-TRSURGE
S1G/13TElectro-Films (EFI) / Vishay
S1G/2PElectro-Films (EFI) / Vishay
S1G/2FTElectro-Films (EFI) / Vishay
S1G-Q-CTDiotec SemiconductorCUT-TAPE VERSION. STANDARD RECO
S1G-LTPMicro Commercial CoDIODE GP 400V 1A DO214AA HSMBSu dirección de correo electrónico no se publicará.
| Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
|---|---|---|
| Región | País | Hora logística (día) |
| America | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemania | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oceanía | Australia | 6 |
| Nueva Zelanda | 5 | |
| Asia | India | 4 |
| Japón | 4 | |
| Oriente Medio | Israel | 6 |
| Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
|---|---|
| Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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