- Jess***Jones
- 17/04/2026
PCN obsolescencia/ EOL
EOL 08/Nov/2013.pdfEspecificaciones tecnológicas TPCC8002-H(TE12L,Q
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Toshiba Semiconductor and Storage - TPCC8002-H(TE12L,Q con especificaciones similares a Toshiba Semiconductor and Storage - TPCC8002-H(TE12L,Q
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 1mA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Paquete del dispositivo | 8-TSON Advance (3.3x3.3) | |
| Serie | U-MOSV-H | |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 8.3mOhm @ 11A, 10V | |
| La disipación de energía (máximo) | 700mW (Ta), 30W (Tc) | |
| Paquete / Cubierta | 8-VDFN Exposed Pad | |
| Paquete | Tape & Reel (TR) |
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2500 pF @ 10 V | |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 27 nC @ 10 V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Característica de FET | - | |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30 V | |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 22A (Ta) | |
| Número de producto base | TPCC8002 |
| ATRIBUTO | DESCRIPCIóN |
|---|---|
| Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| ECCN | EAR99 |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8002-H(TE12L,Q
| Atributo del producto | ||||
|---|---|---|---|---|
| Número de pieza | TPCC8002-H(TE12LQM | TPCC8005-H(TE12LQM | TPCC8006-H(TE12LQM | TPCC8001-H(TE12LQM |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Vgs (Max) | - | - | - | - |
| Paquete del dispositivo | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Paquete / Cubierta | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Tipo de montaje | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Serie | - | - | - | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | - | - | - | - |
| Tecnología | - | - | - | - |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | - | - | - | - |
| Temperatura de funcionamiento | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| VGS (th) (Max) @Id | - | - | - | - |
| Número de producto base | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | - | - | - | - |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | - | - | - | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | - | - | - | - |
| Tipo FET | - | - | - | - |
| La disipación de energía (máximo) | - | - | - | - |
| Paquete | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Característica de FET | - | - | - | - |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - | - | - | - |
Descargue las hojas de datos PDF TPCC8002-H(TE12L,Q y la documentación Toshiba Semiconductor and Storage para TPCC8002-H(TE12L,Q - Toshiba Semiconductor and Storage.
TPCC-R-6AOptiFuseUL CLASS CC FUSE, TIME DELAY 6ASu dirección de correo electrónico no se publicará.
| Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
|---|---|---|
| Región | País | Hora logística (día) |
| America | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemania | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oceanía | Australia | 6 |
| Nueva Zelanda | 5 | |
| Asia | India | 4 |
| Japón | 4 | |
| Oriente Medio | Israel | 6 |
| Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
|---|---|
| Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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