Número de pieza del fabricante
Stw77n65m5
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
MOSFET de canal N de alto rendimiento con baja resistencia en la resistencia y alto voltaje de origen de drenaje
Características del producto y rendimiento
Voltaje de fuente de drenaje de 650 V
Baja resistencia de 38mΩ
Corriente de drenaje continuo de 69a a 25 ° C
Capacitancia de entrada de 9800pf
Disipación de potencia de hasta 400W
Conmutación rápida y carga de puerta baja
Ventajas de productos
Excelente eficiencia energética
Rendimiento robusto y confiable
Compacto y fácil de integrar
Parámetros técnicos clave
VDS: 650V
VGS (máximo): 25V
RDS (ON) (Máx): 38mΩ
ID (cont): 69a
CISS: 9800pf
PD (máximo): 400W
Tipo de FET: N-canal MOSFET
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Paquete TO-247-3
Compatibilidad
Compatible con una amplia gama de aplicaciones electrónicas de energía
Áreas de aplicación
Conversión de potencia
Impulso del motor
Inversores
Suministros de alimentación de modo conmutado
Ciclo de vida del producto
Modelo de producción actual
Los reemplazos y las actualizaciones pueden estar disponibles en el futuro
Razones clave para elegir este producto
Excelente rendimiento en términos de baja resistencia, manejo de alto voltaje y alta capacidad de corriente
Compacto y fácil de integrar en diseños de electrónica de potencia
Operación robusta y confiable, incluso en entornos duros
Contribuye a mejorar la eficiencia energética en los sistemas de conversión de energía
