Número de pieza del fabricante
Stw6n90k5
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
MOSFET de alto rendimiento de alto rendimiento con baja resistencia y alta confiabilidad para aplicaciones industriales y de consumo
Características del producto y rendimiento
Voltaje de 900 V de drenaje a fuente
1Ω máxima de resistencia en 3A, 10V
6A Corriente de drenaje continuo a 25 ° C Temperatura del caso
Disipación máxima de potencia de 110W
-55 ° C a 150 ° C Rango de temperatura de funcionamiento
Capacidad de conmutación rápida
Ventajas de productos
Eficiencia mejorada y consumo de energía reducido
Rendimiento confiable y robusto
Adecuado para una amplia gama de aplicaciones de alto voltaje
Parámetros técnicos clave
Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 900V
Voltaje de puerta a fuente (VGS): ± 30V
En resistencia (RDS (ON)): 1.1Ω @ 3a, 10V
Corriente de drenaje continuo (ID): 6A @ 25 ° C
Disipación de potencia (PD): 110W @ 25 ° C
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Diseñado y fabricado con estándares de alta calidad
Compatibilidad
Adecuado para una amplia gama de aplicaciones industriales y de consumo de alta potencia y alta potencia
Áreas de aplicación
Suministros de alimentación de modo de interruptor
Impulso del motor
Balastos de iluminación inductiva
Electrónica industrial y de consumo de alto voltaje
Ciclo de vida del producto
Actualmente en producción activa
Se pueden introducir reemplazos y actualizaciones disponibles en el futuro
Razones clave para elegir este producto
Capacidad de alto voltaje y alta corriente
Baja resistencia a la eficiencia mejorada
Rendimiento robusto y confiable en un amplio rango de temperatura
Adecuado para una amplia gama de aplicaciones de alta potencia
Fabricado a estándares de alta calidad y seguridad
STW68N60M6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V TO247-3
STW69N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 58A TO247
STW68N65DM6-4AGSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 72A TO247-4