Número de pieza del fabricante
Stw56n60dm2
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
Transistor MOSFET de potencia de alto rendimiento diseñado para aplicaciones de conmutación de alta potencia
Características del producto y rendimiento
MOSFET de canal N con una calificación de voltaje de drenaje a fuente de 600V
Optimizado para la conversión de energía de alta eficiencia y alta frecuencia
Capacidades de baja resistencia y conmutación rápida
Excelente gestión térmica y capacidades de manejo de alta potencia
Ventajas de productos
Rendimiento de conmutación de encendido robusto y confiable
Conversión de energía eficiente para aplicaciones de alta potencia
Diseño compacto y de ahorro de espacio
Adecuado para una amplia gama de temperaturas de funcionamiento
Parámetros técnicos clave
Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 600V
Voltaje de puerta a fuente (VGS): ± 25V
En resistencia (RDS (ON)): 60MΩ @ 25A, 10V
Corriente de drenaje continuo (ID): 50A @ 25 ° C
Capacitancia de entrada (CISS): 4100pf @ 100V
Disipación de potencia (TC): 360W
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Diseñado y fabricado con estándares de alta calidad
Compatibilidad
Adecuado para una amplia gama de aplicaciones de conmutación de alta potencia
Áreas de aplicación
Alimentación de modo conmutado (SMPS)
Impulso del motor
Inversores
Equipo de soldadura
Electrónica industrial y de consumo
Ciclo de vida del producto
Este producto está actualmente en producción y ampliamente disponible
Las actualizaciones y los reemplazos pueden estar disponibles en el futuro a medida que evoluciona la tecnología
Razones clave para elegir este producto
Excelente manejo de potencia y eficiencia para aplicaciones de conmutación de alta potencia
Rendimiento robusto y confiable en un amplio rango de temperatura
Optimizado para operación de alta frecuencia y conversión eficiente de energía
Diseño compacto y de ahorro de espacio para una fácil integración en varios sistemas
Fabricado a altos estándares de calidad y que cumplen con ROHS
