Número de pieza del fabricante
Stw28n60m2
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
MOSFET de potencia N-canal de alto rendimiento
Parte de la serie Mdmesh II Plus
Características del producto y rendimiento
Calificación de voltaje de fuente de drenaje de 600 V
Baja resistencia de 150mΩ
Corriente de drenaje continuo de 24a a 25 ° C
Rango de temperatura de funcionamiento amplio de -55 ° C a 150 ° C
Capacitancia de entrada baja de 1370pf
Disipación máxima de potencia de 170W
Ventajas de productos
Excelente rendimiento de conmutación
Alta eficiencia energética
Diseño confiable y robusto
Compatible con una amplia gama de aplicaciones
Parámetros técnicos clave
Voltaje de fuente de drenaje (VDSS): 600V
Voltaje de fuente de puerta (VGS MAX): ± 25V
En resistencia (RDS (ON) Máx): 150mΩ
Drame la corriente (ID): 24a
Capacitancia de entrada (Ciss Max): 1370pf
Disipación de potencia (TC): 170W
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Montaje en agujeros (paquete To-247-3)
Compatibilidad
Adecuado para una variedad de aplicaciones de conversión y control de energía
Áreas de aplicación
Suministros de alimentación de modo conmutado
Impulso del motor
Sistemas de iluminación
Sistemas de energía renovable
Automatización y control industrial
Ciclo de vida del producto
Este producto está actualmente en producción y está disponible para su compra.
Las opciones de reemplazo o actualización pueden estar disponibles en el futuro.
Razones clave para elegir este producto
Excelentes capacidades de manejo de alto voltaje y alto en corriente
Rendimiento de conmutación altamente eficiente
Diseño confiable y robusto para aplicaciones exigentes
Amplio rango de temperatura de funcionamiento para uso versátil
Cumplimiento de ROHS3 para aplicaciones ecológicas
STW26NM50NSTMicroelectronics
STW2N105K5STM
STW26NM50STMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 30A TO247-3
STW27NM60NDSTMicroelectronics
STW26NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 20A TO247-3