Número de pieza del fabricante
Stw13nk80z
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
Transistor MOSFET de potencia de alto rendimiento para aplicaciones de alto voltaje y alta corriente
Características del producto y rendimiento
800 V de voltaje de drenaje a fuente
Baja resistencia de 650mΩ @ 6a, 10V
Corriente de drenaje continuo de 12A a 25 ° C de temperatura del caso
Capacitancia de entrada alta de 3480pf a 25V
Disipación de alta potencia de 230W a 25 ° C de temperatura del caso
MOSFET de canal N con voltaje umbral de 4.5V
Ventajas de productos
Excelente rendimiento para aplicaciones de alto voltaje y alta corriente
Diseño robusto con capacidad de manejo de alta potencia
Adecuado para varias aplicaciones de conversión y control de energía
Parámetros técnicos clave
800 V de voltaje de drenaje a fuente
650mΩ en resistencia a 6a, 10V
12A Corriente de drenaje continuo a 25 ° C
-55 ° C a 150 ° C Rango de temperatura de funcionamiento
Capacitancia de entrada de 3480pf a 25V
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Paquete TO47-3 para disipación de energía confiable
Compatibilidad
Adecuado para su uso en una amplia gama de aplicaciones de conversión de energía y control
Áreas de aplicación
Sistemas de conversión y control de energía de alto voltaje y alta corriente
Aplicaciones de electrónica industrial, automotriz y de consumo
Ciclo de vida del producto
Este producto está actualmente disponible y no está a punto de interrumpir
Los modelos de reemplazo o actualizado pueden estar disponibles en el futuro
Razones clave para elegir este producto
Excelente rendimiento y capacidad de manejo de alta potencia
Diseño robusto para operaciones confiables en aplicaciones exigentes
Adecuado para una amplia gama de aplicaciones de conversión y control de energía
ROHS3 Cumple con amabilidad ambiental
STW14NK50ZSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 14A TO247-3