Número de pieza del fabricante
Stu85n3lh5
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
MOSFET de potencia N-canal de alto rendimiento
Características del producto y rendimiento
Optimizado para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia
Baja resistencia a las bajas pérdidas de conducción
Capacidad de manejo de alta corriente
Velocidad de conmutación rápida
Ventajas de productos
Excelente rendimiento térmico
Diseño robusto y confiable
Adecuado para aplicaciones de alta potencia
Parámetros técnicos clave
Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 30 V
VGS (máximo): ± 22 V
Rds on (max) @ id, VGS: 5.4 mΩ @ 40 A, 10 V
Drenaje continuo actual (ID) a 25 ° C: 80 A
Capacitancia de entrada (CISS) (Max) @ VDS: 1850 pf @ 25 V
Disipación de potencia (Max): 70 W
Vgs (th) (max) @ id: 2.5 v @ 250 a
CARGA DE GATE (QG) (MAX) @ VGS: 14 NC @ 5 V
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Diseño confiable y duradero
Compatibilidad
Adecuado para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia
Áreas de aplicación
Fuente de alimentación
Impulso del motor
Inversores
Convertidores
Electrónica industrial y de consumo
Ciclo de vida del producto
Actualmente en producción
No hay planes conocidos para la interrupción
Opciones de reemplazo o actualización disponibles
Razones clave para elegir este producto
Excelente rendimiento térmico y capacidad de manejo de alta corriente
Baja resistencia a la conversión de energía eficiente
Velocidad de conmutación rápida para aplicaciones de alta frecuencia
Diseño robusto y confiable para exigentes aplicaciones industriales y de consumo
Cumplimiento de ROHS3 para la responsabilidad ambiental
STU816SSAMHOP
STU8N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 6A TO251