Número de pieza del fabricante
Stu6n62k3
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
MOSFET de potencia N-canal de alto rendimiento con baja resistencia en la resistencia y alto voltaje de descomposición.
Características del producto y rendimiento
Voltaje de fuente de drenaje de 620 V
Baja resistencia a 1.2Ω a 2.8a, 10V
5A Corriente de drenaje continuo a 25 ° C
Disipación máxima de potencia de 90W
Amplio rango de temperatura de funcionamiento de hasta 150 ° C
Carga de puerta baja de 30 nc a 10V
Ventajas de productos
Excelente eficiencia y densidad de potencia
Rendimiento confiable en aplicaciones de alto voltaje y alta corriente
Adecuado para diversos circuitos de conversión de energía y control del motor
Parámetros técnicos clave
Voltaje de fuente de drenaje (VDSS): 620V
Voltaje de fuente de puerta (VGS): ± 30V
En resistencia (RDS (ON)): 1.2Ω
Drame la corriente (ID): 5.5a
Disipación de potencia (PTOT): 90W
Temperatura de funcionamiento (TJ): 150 ° C
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Paquete TO-251 (IPAK) para el montaje seguro y la disipación de calor
Compatibilidad
Adecuado para varias aplicaciones de conversión de energía y control de motor.
Áreas de aplicación
Suministros de alimentación de modo conmutado
Impulso del motor
Inversores
Equipo de soldadura
Electrodomésticos industriales y caseros
Ciclo de vida del producto
Este producto está actualmente en producción y no está cerca de la interrupción.Las opciones de reemplazo o actualización están disponibles en STMicroelectronics.
Razones clave para elegir este producto
Capacidad de manipulación de alto voltaje y alta corriente
Excelente eficiencia y densidad de potencia
Rendimiento confiable en entornos duros
Paquete compacto y térmicamente eficiente
Compatibilidad de aplicación amplia
STU666SSAMHOP
STU6N60DM2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 5A IPAK