Número de pieza del fabricante
Sts9nf3ll
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
Transistor MOSFET de canal N en un paquete 8-SOIC
Características del producto y rendimiento
Voltaje de 30 V de drenaje a fuente
19mohm máxima en resistencia
9A Corriente de drenaje continuo a 25 ° C
800pf Capacitancia de entrada máxima
Disipación de potencia máxima de 5W
Voltaje de umbral de puerta máximo de 1V
Admite voltajes de unidad de 4.5V y 10 V
17 nc de carga de puerta máxima
Ventajas de productos
Baja resistencia a la conmutación eficiente de alimentación
Capacidad de manejo de alta corriente
Pequeño paquete 8-soico para diseños compactos
ROHS3 Cumple con el cumplimiento ambiental
Parámetros técnicos clave
Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 30V
Voltaje de puerta a fuente (VGS): ± 16V
En resistencia (RDS (ON)): 19mohm
Drene la corriente (ID): 9a
Capacitancia de entrada (CISS): 800pf
Disipación de potencia (PTOT): 2.5W
Voltaje de umbral de puerta (VGS (TH)): 1V
CARGA DE GATE (QG): 17NC
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumple con la seguridad ambiental
Compatibilidad
Compatible con el montaje 8-soico
Áreas de aplicación
Suministros de alimentación de conmutación
Impulso del motor
Circuitos de gestión de energía
Electrónica industrial y de consumo
Ciclo de vida del producto
Actualmente en producción activa
No se anunciaron planes de interrupción o reemplazo
Razones clave para elegir
Excelente eficiencia energética con baja resistencia
Alto manejo actual para aplicaciones exigentes
Paquete compacto 8-SOIC para diseños con restricciones espaciales
Cumplimiento de ROHS3 para las regulaciones ambientales
Confiabilidad y desempeño comprobados en muchas aplicaciones
STSA1805STMicroelectronics
STSA230RATE Connectivity ALCOSWITCH SwitchesSWITCH SLIDE DP3T 300MA 125V
STS9014CAUK