- Jess***Jones
- 17/04/2026
Hojas de datos
STS3P6F6.pdfPCN obsolescencia/ EOL
Mosfet EOL 6/Apr/2018.pdfEspecificaciones tecnológicas STS3P6F6
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de STMicroelectronics - STS3P6F6 con especificaciones similares a STMicroelectronics - STS3P6F6
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Paquete del dispositivo | 8-SOIC | |
| Serie | DeepGATE™, STripFET™ VI | |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 160mOhm @ 1.5A, 10V | |
| La disipación de energía (máximo) | 2.7W (Tc) | |
| Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Paquete | Tape & Reel (TR) |
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 340 pF @ 48 V | |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 6.4 nC @ 10 V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Característica de FET | - | |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60 V | |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Tj) | |
| Número de producto base | STS3P |
| ATRIBUTO | DESCRIPCIóN |
|---|---|
| Estado RoHS | ROHS3 Cumplante |
| Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Estatus de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las STMicroelectronics STS3P6F6
| Atributo del producto | ![]() |
![]() |
![]() |
|
|---|---|---|---|---|
| Número de pieza | STS3P6F6 | STS3DPF20V. | STS3DPFS30D | STS3C3F30L |
| Fabricante | STMicroelectronics | SR | STMicroelectronics | VBSEMI |
| Paquete | Tape & Reel (TR) | - | - | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 160mOhm @ 1.5A, 10V | - | - | - |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | - |
| Tipo FET | P-Channel | - | - | - |
| Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | - | - | - |
| Característica de FET | - | - | - | - |
| Vgs (Max) | ±20V | - | - | - |
| La disipación de energía (máximo) | 2.7W (Tc) | - | - | - |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Tj) | - | - | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount | - | - | - |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60 V | - | - | - |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 6.4 nC @ 10 V | - | - | - |
| Serie | DeepGATE™, STripFET™ VI | - | - | - |
| Número de producto base | STS3P | - | - | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | - | - | - |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 340 pF @ 48 V | - | - | - |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA | - | - | - |
| Paquete del dispositivo | 8-SOIC | - | - | - |
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STS3DPF20V.SR
STS3DPFS30DSTMicroelectronics
STS3C3F30LVBSEMI
STS3DPFS30STMicroelectronics
STS3DPF30LSTMicroelectronics
STS3P6F6 MOSSTMicroelectronics
STS3DPFS45SR
STS3DPF20VVBSEMI
STS4075QCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
STS40-AD1BSensirion
STS4.3LF200QGCIT Relay and SwitchSWITCH TACTILE SPST-NO 50MA 48VSu dirección de correo electrónico no se publicará.
| Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
|---|---|---|
| Región | País | Hora logística (día) |
| America | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemania | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oceanía | Australia | 6 |
| Nueva Zelanda | 5 | |
| Asia | India | 4 |
| Japón | 4 | |
| Oriente Medio | Israel | 6 |
| Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
|---|---|
| Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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