- Jess***Jones
- 17/04/2026
Hojas de datos
STS2DPF80.pdfEspecificaciones tecnológicas STS2DPF80
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de STMicroelectronics - STS2DPF80 con especificaciones similares a STMicroelectronics - STS2DPF80
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Paquete del dispositivo | 8-SOIC | |
| Serie | STripFET™ | |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 250mOhm @ 1A, 10V | |
| Potencia - Max | 2.5W | |
| Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Paquete | Tape & Reel (TR) |
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 739pF @ 25V | |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 20nC @ 10V | |
| Característica de FET | Logic Level Gate | |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 80V | |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 2A | |
| Configuración | 2 P-Channel (Dual) | |
| Número de producto base | STS2D |
| ATRIBUTO | DESCRIPCIóN |
|---|---|
| Estado RoHS | ROHS3 Cumplante |
| Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estatus de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las STMicroelectronics STS2DPF80
| Atributo del producto | ![]() |
![]() |
||
|---|---|---|---|---|
| Número de pieza | STS2DPF80 | STS2DNF30L | STS2DNF30L MOS | STS2DNE60 |
| Fabricante | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 80V | 30V | - | - |
| Paquete del dispositivo | 8-SOIC | 8-SOIC | - | - |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 739pF @ 25V | 121pF @ 25V | - | - |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 20nC @ 10V | 4.5nC @ 10V | - | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount | - | - |
| Serie | STripFET™ | STripFET™ | - | - |
| Característica de FET | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - | - |
| Paquete | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - | - |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 2A | 3A | - | - |
| Potencia - Max | 2.5W | 2W | - | - |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| Número de producto base | STS2D | STS2DNF30 | - | - |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | - | - |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - |
| Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | - | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 250mOhm @ 1A, 10V | 110mOhm @ 1A, 10V | - | - |
| Configuración | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | - | - |
Descargue las hojas de datos PDF STS2DPF80 y la documentación STMicroelectronics para STS2DPF80 - STMicroelectronics.
STS2DNF30L MOSSTMicroelectronics
STS2DNE60STMicroelectronics
STS30-DISSensirion
STS2DPS20VSTMicroelectronics
STS30A-DIS-2.5kSSensirion
STS2DPFS20V-ESTMicroelectronics
STS2622SAMHOP
STS30-DIS-2.5KSSensirion
STS26N3LLH6 MOSSTMicroelectronics
STS2NF100VBSEMI
STS2DNF30L.SR
STS2621VBSEMI
STS2622AVBSEMISu dirección de correo electrónico no se publicará.
| Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
|---|---|---|
| Región | País | Hora logística (día) |
| America | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemania | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oceanía | Australia | 6 |
| Nueva Zelanda | 5 | |
| Asia | India | 4 |
| Japón | 4 | |
| Oriente Medio | Israel | 6 |
| Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
|---|---|
| Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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