- Jess***Jones
- 17/04/2026
Hojas de datos
STS1DN45K3.pdfEspecificaciones tecnológicas STS1DN45K3
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de STMicroelectronics - STS1DN45K3 con especificaciones similares a STMicroelectronics - STS1DN45K3
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| VGS (th) (Max) @Id | 4.5V @ 50µA | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Paquete del dispositivo | 8-SOIC | |
| Serie | SuperMESH3™ | |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 3.8Ohm @ 500mA, 10V | |
| Potencia - Max | 1.3W | |
| Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Paquete | Tape & Reel (TR) |
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 25V | |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 6nC @ 10V | |
| Característica de FET | - | |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 450V | |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 500mA | |
| Configuración | 2 N-Channel (Dual) | |
| Número de producto base | STS1D |
| ATRIBUTO | DESCRIPCIóN |
|---|---|
| Estado RoHS | ROHS3 Cumplante |
| Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estatus de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las STMicroelectronics STS1DN45K3
| Atributo del producto | ![]() |
|||
|---|---|---|---|---|
| Número de pieza | STS1DN45K3 | STS1DNC45 | STS1DNF20 | STS1HNK60 |
| Fabricante | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| Serie | SuperMESH3™ | SuperMESH™ | - | SuperMESH™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 3.8Ohm @ 500mA, 10V | 4.5Ohm @ 500mA, 10V | - | 8.5Ohm @ 500mA, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 450V | 450V | - | 600 V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Número de producto base | STS1D | STS1D | STS1D | STS1 |
| Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | - | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 500mA | 400mA | - | 300mA (Tc) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount | - | Surface Mount |
| Configuración | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | - | - |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 6nC @ 10V | 10nC @ 10V | - | 10 nC @ 10 V |
| Potencia - Max | 1.3W | 1.6W | - | - |
| VGS (th) (Max) @Id | 4.5V @ 50µA | 3.7V @ 250µA | - | 3.7V @ 250µA |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 25V | 160pF @ 25V | - | 156 pF @ 25 V |
| Paquete del dispositivo | 8-SOIC | 8-SOIC | - | 8-SOIC |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | - | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Característica de FET | - | - | - | - |
Descargue las hojas de datos PDF STS1DN45K3 y la documentación STMicroelectronics para STS1DN45K3 - STMicroelectronics.
STS1TXSTMicroelectronics
STS1DNF20STMicroelectronicsMOSFET N-CH 8SOIC
STS1HNK60ZSTMicroelectronics
STS1NK60Z MOSSTMicroelectronics
STS1465-2R2MASSOCIATESu dirección de correo electrónico no se publicará.
| Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
|---|---|---|
| Región | País | Hora logística (día) |
| America | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemania | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oceanía | Australia | 6 |
| Nueva Zelanda | 5 | |
| Asia | India | 4 |
| Japón | 4 | |
| Oriente Medio | Israel | 6 |
| Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
|---|---|
| Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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