Número de pieza del fabricante
Str2p3llh6
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
Producto de semiconductores discretos
Transistores fets, MOSFETS single
Características del producto y rendimiento
ROHS3 Cumplante
Tipo de montaje de montaje en superficie
TO36-3, SC-59, paquete SOT-23-3
Canal P MOSFET
Drenaje de 30 V al voltaje de fuente
± 20 V de la puerta al voltaje de fuente
56mohm en resistencia
2a corriente de drenaje continuo
Capacitancia de entrada 639pf
Disipación de potencia de 350MW
Voltaje de umbral de la puerta de 5V
Voltaje de transmisión de 5V/10V
Ventajas de productos
Paquete de montaje en superficie compacto
Baja resistencia a la entrega de energía eficiente
Rango de voltaje de funcionamiento amplio
Parámetros técnicos clave
Drenaje a la fuente de voltaje: 30V
Voltaje de puerta a fuente: ± 20V
En resistencia: 56mohm
Corriente de drenaje continuo: 2a
Capacitancia de entrada: 639pf
Disipación de potencia: 350MW
Voltaje umbral de la puerta: 2.5V
Voltaje de accionamiento: 4.5V/10V
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Compatibilidad
Adecuado para varias aplicaciones electrónicas
Áreas de aplicación
Gestión de energía
Circuitos de amplificador
Suministros de alimentación del modo de conmutación
Ciclo de vida del producto
Actualmente disponible
No hay información sobre la interrupción o los reemplazos
Razones clave para elegir
Paquete de montaje en superficie compacto
Baja resistencia a la entrega de energía eficiente
Rango de voltaje de funcionamiento amplio
Adecuado para varias aplicaciones de gestión de energía

STR2N2VH5 MOSSTMicroelectronics
STR2A153Sanken Electric Co., Ltd.