Número de pieza del fabricante
Stp9nm60n
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
El STP9NM60N es un producto semiconductor discreto, específicamente un transistor - FET, MOSFET - Single.
Características del producto y rendimiento
ROHS3 Cumplante
Paquete de 220
Drenaje de 600 V al voltaje de la fuente
± 25 V de la puerta al voltaje de fuente
Drenaje de 745mohm a la fuente en resistencia
5A Corriente de drenaje continuo
Capacitancia de entrada 452pf
Disipación de potencia de 70W
Mosfet de canal N
Voltaje de umbral de puerta de 4V
Voltaje de accionamiento de 10 V
Carga de la puerta de 4nc
Ventajas de productos
Capacidad de alta tensión
Baja resistencia
Manejo de alta corriente
Compacto al paquete de 220
Parámetros técnicos clave
Drene a la fuente de voltaje: 600V
Voltaje de puerta a fuente: ± 25V
Drene a la fuente de resistencia: 745mohm
Corriente de drenaje continuo: 6.5a
Capacitancia de entrada: 452pf
Disipación de potencia: 70W
Voltaje de umbral de la puerta: 4V
CARGA DE GATE: 17.4NC
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
A través del montaje del agujero
Compatibilidad
Compatible con la serie Mdmesh II
Áreas de aplicación
Adecuado para la conversión de potencia, control del motor y otras aplicaciones de alto voltaje y alta corriente
Ciclo de vida del producto
Actualmente en producción
Opciones de reemplazo y actualización disponibles
Razones clave para elegir este producto
Capacidades de manipulación de alto voltaje y corriente
Baja resistencia a la conversión de energía eficiente
Paquete compacto a 220 para una fácil integración
Compatibilidad con la serie MDMesh II
Adecuado para una amplia gama de aplicaciones electrónicas de energía
STP9NK90Z MOSSTMicroelectronics
STP9NK80ZFPSTCHN