- Jess***Jones
- 17/04/2026
Ensamblaje de PCN/origen
Wafer Fab Site Chg 8/Mar/2017.pdfEspecificaciones tecnológicas STP80N70F6
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de STMicroelectronics - STP80N70F6 con especificaciones similares a STMicroelectronics - STP80N70F6
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Paquete del dispositivo | TO-220 | |
| Serie | DeepGATE™, STripFET™ VI | |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 8mOhm @ 48A, 10V | |
| La disipación de energía (máximo) | 110W (Tc) | |
| Paquete / Cubierta | TO-220-3 | |
| Paquete | Tube |
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5850 pF @ 25 V | |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 99 nC @ 10 V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Característica de FET | - | |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 68 V | |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 96A (Tc) | |
| Número de producto base | STP80 |
| ATRIBUTO | DESCRIPCIóN |
|---|---|
| Estado RoHS | ROHS3 Cumplante |
| Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estatus de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las STMicroelectronics STP80N70F6
| Atributo del producto | ![]() |
|||
|---|---|---|---|---|
| Número de pieza | STP80N70F4 | STP80N240K6 | STP80N340K6 | STP80NE06-10 |
| Fabricante | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| Serie | - | - | - | - |
| Característica de FET | - | - | - | - |
| Temperatura de funcionamiento | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | - | - | - | - |
| Paquete del dispositivo | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - | - | - | - |
| Tipo de montaje | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | - | - | - | - |
| Número de producto base | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| Vgs (Max) | - | - | - | - |
| Paquete / Cubierta | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Paquete | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Tecnología | - | - | - | - |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | - | - | - | - |
| La disipación de energía (máximo) | - | - | - | - |
| VGS (th) (Max) @Id | - | - | - | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | - | - | - | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | - | - | - | - |
| Tipo FET | - | - | - | - |
Descargue las hojas de datos PDF STP80N70F6 y la documentación STMicroelectronics para STP80N70F6 - STMicroelectronics.
STP80NE06FISTMicroelectronics
STP80NF03 P80NF03STMicroelectronics
STP80N340K6STMicroelectronicsDISCRETE
STP80NE03LSTMicroelectronics
STP80NF03L-04Z2STMicroelectronics
STP80N70F4 80N70F4STMicroelectronics
STP80NF03STMicroelectronics
STP80N6F6 MOSSTMicroelectronics
STP80N600K6STMicroelectronicsN-CHANNEL 800 V, 515 MOHM TYP.,
STP80N450K6STMicroelectronicsN-CHANNEL 800 V, 400 MOHM TYP.,Su dirección de correo electrónico no se publicará.
| Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
|---|---|---|
| Región | País | Hora logística (día) |
| America | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemania | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oceanía | Australia | 6 |
| Nueva Zelanda | 5 | |
| Asia | India | 4 |
| Japón | 4 | |
| Oriente Medio | Israel | 6 |
| Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
|---|---|
| Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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