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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaSTP6N120K3
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STP6N120K3 - STMicroelectronics

Fabricante Número de pieza
STP6N120K3
Fabricante
STMicroelectronics
Allelco Número de pieza
32D-STP6N120K3
Garantía
1 año de garantía Allelco - Descubre más
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 1200V 6A TO220
Embalaje
TO-220
Ficha de datos
1.STP6N120K3.pdf ...

Hojas de datos

ST(FW,P,W)6N120K3.pdf

PCN obsolescencia/ EOL

Mult Devices OBS 22/Jan/2018.pdf

Diseño/especificación de PCN

Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Estado RoHS
ROHS3 Cumplante
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Especificaciones

Especificaciones tecnológicas STP6N120K3
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de STMicroelectronics - STP6N120K3 con especificaciones similares a STMicroelectronics - STP6N120K3

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-220  
Serie SuperMESH3™  
RDS (Max) @Id, Vgs 2.4Ohm @ 2.5A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 150W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-220-3  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1050 pF @ 100 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 34 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 1200 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc)  
Número de producto base STP6N  

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS ROHS3 Cumplante
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estatus de alcance REACH Unaffected
ECCN EAR99

Introducción de piezas

Número de pieza del fabricante

STP6N120K3

Fabricante

Stmicroelectronics

Introducción

MOSFET de potencia N-canal de alto rendimiento

Diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación de alto voltaje y alta corriente

Características del producto y rendimiento

Voltaje de desglose (VDSS) de 1200V

Resistencia en el estado (RDS (ON)) tan baja como 2.4Ω

Corriente de drenaje continuo (id) de 6a a 25 ° C

Rango de temperatura de funcionamiento de -55 ° C a 150 ° C

Capacitancia de entrada alta (CISS) de 1050pf

Disipación de potencia (PTOT) de 150W

Ventajas de productos

Excelente rendimiento de alto voltaje y alto corriente

Baja resistencia en el estado para una conmutación eficiente de alimentación

Amplio rango de temperatura de funcionamiento

Diseño confiable y robusto

Parámetros técnicos clave

VDSS: 1200V

VGS (máximo): ± 30V

RDS (ON) (Máx): 2.4Ω

ID (Max): 6a

CISS (máximo): 1050pf

PTOT (Max): 150W

Características de calidad y seguridad

ROHS3 Cumplante

Paquete resistente a 220

Compatibilidad

Adecuado para aplicaciones de conmutación y amplificación de alto voltaje y alta corriente

Áreas de aplicación

Suministros industriales

Impulso del motor

Inversores

Suministros de alimentación de modo conmutado

Ciclo de vida del producto

Modelo de producción actual

Opciones de reemplazo o actualización disponibles

Varias razones clave para elegir este producto

Excelente rendimiento de alto voltaje y alto corriente

Baja resistencia en el estado para una conmutación eficiente de alimentación

Amplio rango de temperatura de funcionamiento

Diseño confiable y robusto

Cumplimiento de ROHS3 para la responsabilidad ambiental

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las STMicroelectronics STP6N120K3

Atributo del producto STP6N120K3 STP6N52K3 STP6N60M2 STP6N62K3
Número de pieza STP6N120K3 STP6N52K3 STP6N60M2 STP6N62K3
Fabricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paquete del dispositivo TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Paquete Tube Tube Tube Tube
Serie SuperMESH3™ SuperMESH3™ MDmesh™ II Plus SuperMESH3™
Vgs (Max) ±30V ±30V ±25V ±30V
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 100µA 4.5V @ 50µA 4V @ 250µA 4.5V @ 50µA
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 1200 V 525 V 600 V 620 V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paquete / Cubierta TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
RDS (Max) @Id, Vgs 2.4Ohm @ 2.5A, 10V 1.2Ohm @ 2.5A, 10V 1.2Ohm @ 2.25A, 10V 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Número de producto base STP6N STP6N STP6N60 STP6N62
La disipación de energía (máximo) 150W (Tc) 70W (Tc) 60W (Tc) 90W (Tc)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 34 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 8 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V
Característica de FET - - - -
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc) 5A (Tc) 4.5A (Tc) 5.5A (Tc)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1050 pF @ 100 V 670 pF @ 50 V 232 pF @ 100 V 875 pF @ 50 V

STP6N120K3 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF STP6N120K3 y la documentación STMicroelectronics para STP6N120K3 - STMicroelectronics.

Hojas de datos
ST(FW,P,W)6N120K3.pdf
PCN obsolescencia/ EOL
Mult Devices OBS 22/Jan/2018.pdf
Diseño/especificación de PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Ensamblaje de PCN/origen
TO-220 Capacity Expansion 18/Jun/2013.pdf
Embalaje de PCN
Traceability 06/Mar/2017.pdf

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Comentarios de los clientes

Evaluación: 10 Artículos

  • Jess***Jones
    17/04/2026

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    17/04/2026

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

  • Aman***arris
    03/04/2026

    It was great—the entire process, from placing the order to receiving the package, went very smoothly. The components were consistent, the price was fair, and I had a very pleasant shopping experience.

  • Mike***nch
    03/04/2026

    Better than expected! The resistance and capacitance readings were spot-on, and it passed the test on the first try. The service was reliable, and the packaging was thoughtful—I highly recommend it.

  • Daic***K.
    23/03/2026

    Very good. No issue after long time testing.

  • Kevi***.
    17/03/2026

    Fast switching and stable output. Very satisfied with this IC

  • Daou***hekebkeb
    16/06/2024

    I had a great experience purchasing items from Allelcoelec, I recommend

  • Uri ***al
    19/06/2024

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    19/06/2024

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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