Número de pieza del fabricante
Stp34n65m5
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
MOSFET de potencia N-canal de alto rendimiento
Características del producto y rendimiento
Calificación de alto voltaje de 650V
Baja resistencia de 110mohm
Capacidad de manejo de alta corriente de 28A
Cambio rápido con una carga de puerta baja de 62.5 nc
Excelente rendimiento térmico con disipación de potencia de 190W
Ventajas de productos
Diseño confiable y robusto
Conversión de potencia eficiente
Adecuado para aplicaciones de alto voltaje y de alta corriente
Parámetros técnicos clave
Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 650V
Voltaje de puerta a fuente (VGS): ± 25V
En resistencia (RDS (ON)): 110MOHM
Corriente de drenaje continuo (ID): 28a
Capacitancia de entrada (CISS): 2700pf
Disipación de potencia (PTOT): 190W
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Paquete TO20 para rendimiento térmico confiable
Compatibilidad
Adecuado para una amplia gama de aplicaciones de alto voltaje y de alta corriente
Áreas de aplicación
Fuente de alimentación
Impulso del motor
Electrónica automotriz
Equipo industrial
Ciclo de vida del producto
Actualmente disponible
No hay planes conocidos para la interrupción
Las opciones de reemplazo o actualización pueden estar disponibles
Razones clave para elegir este producto
Excelente rendimiento y confiabilidad
Conversión de potencia eficiente
Versátil y adecuado para una amplia gama de aplicaciones
Diseño robusto y térmicamente eficiente
Cumplimiento de los estándares de la industria
STP3467STANSON
STP34NM60N 34NM60NSTMicroelectronics