Número de pieza del fabricante
Stp32nm50n
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
MOSFET de alto voltaje y alta potencia de canal de alto rendimiento
Características del producto y rendimiento
Adecuado para aplicaciones de conmutación y amplificación de alta potencia
Baja resistencia a alta eficiencia
Velocidad de conmutación rápida
Calificación de alto voltaje de hasta 500 V
Ventajas de productos
Excelente rendimiento de RDS (encendido)
Capacidad de energía alta de avalancha
Diseño resistente y confiable
Parámetros técnicos clave
Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 500V
Voltaje máximo de fuente de puerta (VGS): ± 25V
En resistencia (RDS (ON)): 130MΩ @ 11a, 10V
Corriente de drenaje continuo (ID): 22a @ 25 ° C
Capacitancia de entrada (CISS): 1973pf @ 50V
Disipación de potencia (PTOT): 190W @ TC
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Ubicado en un paquete resistente a 220
Compatibilidad
Adecuado para varias aplicaciones de conmutación y amplificación de alta potencia
Áreas de aplicación
Suministros de alimentación de modo de interruptor
Impulso del motor
Inversores
Amplificadores de potencia de alto voltaje
Ciclo de vida del producto
Producto actual, no se planea la interrupción
Opciones de reemplazo y actualización disponibles
Razones clave para elegir este producto
Excelente rendimiento de RDS (encendido) para alta eficiencia
Calificación de alto voltaje de hasta 500 V
Velocidad de conmutación rápida para aplicaciones de alta frecuencia
Paquete resistente y confiable para 220
Adecuado para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación de alta potencia
STP32N06LSTMicroelectronics
STP33N10VBSEMI