Número de pieza del fabricante
STP120NF10
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
Transistor MOSFET de alta potencia N-canal
Características del producto y rendimiento
Muy baja resistencia a alta eficiencia
Capacidad de manejo de alta corriente
Velocidad de conmutación rápida
Diseño robusto para alta fiabilidad
Ventajas de productos
Excelente rendimiento térmico
Optimizado para aplicaciones de alta potencia
Adecuado para una amplia gama de temperaturas de funcionamiento
Parámetros técnicos clave
Voltaje de drenaje a fuente (VDS): 100V
Voltaje de puerta a fuente (VGS) Max: ± 20V
En resistencia (RDS (ON)): 10.5mΩ @ 60a, 10V
Corriente de drenaje continuo (ID): 110A @ 25 ° C
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Control y pruebas de calidad estrictos
Compatibilidad
Compatible con una amplia gama de sistemas y aplicaciones electrónicas de potencia
Áreas de aplicación
Fuente de alimentación
Impulso del motor
Automatización industrial
Electrónica automotriz
Ciclo de vida del producto
Actualmente en producción
Disponibilidad de reemplazos y actualizaciones
Razones clave para elegir este producto
Excelente manejo y eficiencia de energía
Diseño robusto y confiable
Amplia compatibilidad y versatilidad
Optimizado para aplicaciones de alta potencia
STP11NM60ZFPSTMicroelectronics