Número de pieza del fabricante
STP110N8F6
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
MOSFET de potencia N-canal de alto rendimiento con baja capacidad de manejo de alta resistencia y alta potencia
Características del producto y rendimiento
Baja resistencia a alta eficiencia
Capacidad de alta corriente de hasta 110a
El rango de temperatura de funcionamiento amplio de -55 ° C a 175 ° C
Capacitancia de entrada baja para la conmutación rápida
High Gate Charge para un rendimiento mejorado
Ventajas de productos
Excelente gestión térmica
Alta fiabilidad
Optimizado para aplicaciones de alta potencia
Parámetros técnicos clave
Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 80V
Voltaje de fuente de puerta (VGS): ± 20V
En resistencia (RDS (ON)): 6.5mΩ @ 55a, 10V
Corriente de drenaje continuo (ID): 110A @ 25 ° C
Capacitancia de entrada (CISS): 9130pf @ 40V
Disipación de potencia (TC): 200W
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Paquete robusto a 220
Compatibilidad
Adecuado para una amplia gama de aplicaciones de alta potencia, como unidades de motor, alimentación y electrónica industrial.
Áreas de aplicación
Automatización industrial
Conversión de potencia
Control del motor
Electrónica automotriz
Ciclo de vida del producto
Este producto es compatible activamente y está disponible para su compra.Las opciones de reemplazo o actualización pueden estar disponibles en el futuro.
Razones clave para elegir este producto
Excelente rendimiento térmico y alta fiabilidad
Alta capacidad de corriente y baja resistencia a la conversión de energía eficiente
Amplio rango de temperatura de funcionamiento para aplicaciones versátiles
Capacidad de conmutación rápida para mejorar el rendimiento del sistema
Diseño probado y calidad para la confiabilidad de grado industrial
STP11N60STMicroelectronics
STP10P6F6STMicroelectronicsMOSFET P-CH 60V 10A TO220
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