Número de pieza del fabricante
Stn2ne10l
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
MOSFET de potencia de modo de mejora del canal N de alto rendimiento en un pequeño paquete SOT-223.
Características del producto y rendimiento
Adecuado para aplicaciones de conmutación y amplificador
Velocidad de conmutación rápida
Baja resistencia
Carga de puerta baja
Alta densidad de potencia
Ventajas de productos
Paquete compacto SOT-223
Disipación de baja potencia
Alta fiabilidad
Excelente rendimiento térmico
Parámetros técnicos clave
Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 100V
Voltaje de puerta a fuente (VGS): ± 20V
En resistencia (RDS (ON)): 400MΩ @ 1a, 10V
Corriente de drenaje continuo (ID): 1.8a @ 25 ° C (TC)
Capacitancia de entrada (CISS): 345pf @ 25V
Disipación de potencia (PTOT): 2.5W (TC)
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Adecuado para soldado de reflujo
Compatibilidad
Compatible con varios dispositivos y circuitos electrónicos
Áreas de aplicación
Suministros de alimentación de conmutación
Impulso del motor
Control de iluminación
Electrónica industrial y de consumo
Ciclo de vida del producto
Actualmente disponible
No hay planes de interrupción
Razones clave para elegir este producto
Alto rendimiento en un paquete compacto
Excelente gestión térmica
Confiable y duradero
Solución rentable para aplicaciones de conmutación de alimentación
STN2NE10L-TRVBSEMI