Número de pieza del fabricante
Stl50dn6f7
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
Productos de semiconductores discretos
Fets de transistores, matrices MOSFETS
Características del producto y rendimiento
ROHS3 Cumplante
Paquete PowerFlat (5x6)
Serie de stripfet
Configuración de 2 canales N (dual)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Tipo de montaje de montaje en superficie
Rango de temperatura de funcionamiento: -55 ° C a 175 ° C (TJ)
Calificación de energía: 62.5W (Max)
Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 60V
En resistencia (RDS ON): 11MOHM @ 7.5A, 10V
Corriente de drenaje continuo (ID): 57A (TC)
Capacitancia de entrada (CISS): 1035pf @ 30V
Voltaje de umbral de puerta (VGS (TH)): 4V @ 250a
CARGA DE GATE (QG): 17NC @ 10V
Ventajas de productos
Capacidad de manejo de alta potencia
Baja resistencia a la conversión de energía eficiente
Amplio rango de temperatura de funcionamiento
Paquete compacto de Powerflat para diseños con restricciones espaciales
Parámetros técnicos clave
Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 60V
En resistencia (RDS ON): 11mohm
Corriente de drenaje continuo (ID): 57a
Capacitancia de entrada (CISS): 1035pf
Voltaje de umbral de puerta (VGS (TH)): 4V
CARGA DE GATE (QG): 17NC
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Compatibilidad
Diseñado para una amplia gama de aplicaciones de gestión de energía y control
Áreas de aplicación
Gestión de energía
Control del motor
Automatización industrial
Electrónica automotriz
Ciclo de vida del producto
Producto actual, sin indicación de interrupción
Los reemplazos y las actualizaciones pueden estar disponibles en STMicroelectronics
Razones clave para elegir este producto
Manejo de alta potencia y rendimiento eficiente
Amplio rango de temperatura de funcionamiento
Paquete Powerflat compacto y de ahorro de espacio
Tecnología Probada de Stringfet de un fabricante confiable
STL4N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 2.5A POWERFLAT
STL4N10F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 4.5/18A PWRFLAT