Número de pieza del fabricante
Stl28n60dm2
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
MOSFET de potencia N-canal de alto voltaje en paquete de HV Powerflat (8x8)
Características del producto y rendimiento
Voltaje de drenaje a fuente de 600 V
Baja resistencia de 175mΩ @ 10.5a, 10V
Capaz de 21A corriente de drenaje continuo a 25 ° C
Rango de temperatura de funcionamiento amplio de -55 ° C a 150 ° C
Capacitancia de entrada baja de 1500pf @ 100V
Disipación máxima de potencia de 140W a temperatura del caso
Ventajas de productos
Excelente rendimiento para aplicaciones de alto voltaje y alta potencia
Paquete de HV compacto y eficiente de PowerFlat (8x8)
Tecnología de MOSFET confiable de un fabricante de confianza
Parámetros técnicos clave
Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 600V
Voltaje de puerta a fuente (VGS): ± 25V
En resistencia (RDS (ON)): 175MΩ @ 10.5a, 10V
Corriente de drenaje continuo (ID): 21a @ 25 ° C
Capacitancia de entrada (CISS): 1500pf @ 100V
Disipación de potencia (PD): 140W @ TC
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Adecuado para aplicaciones de alto voltaje y alta potencia
Compatibilidad
Compatible con una amplia gama de circuitos y sistemas de alta potencia y alta potencia
Áreas de aplicación
Suministros de alimentación de conmutación
Impulso del motor
Electrónica industrial y de consumo
Electrónica automotriz
Ciclo de vida del producto
Producto actual, que no está a punto de interrumpir
Los reemplazos y las actualizaciones pueden estar disponibles en el fabricante
Razones clave para elegir este producto
Excelente rendimiento en aplicaciones de alto voltaje y alta potencia
Paquete de HV compacto y eficiente de PowerFlat (8x8)
Tecnología de MOSFET confiable de un fabricante de confianza
Rango de temperatura de funcionamiento amplio y disipación de alta potencia
Cumplimiento de ROHS3 para la responsabilidad ambiental
STL2E1-53Carling TechnologiesSWITCH TOGGLE
STL30N10F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 30A POWERFLAT
STL2N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 2A POWERFLAT