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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaSTL100N6LF6
STMicroelectronics
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

STL100N6LF6 - STMicroelectronics

Fabricante Número de pieza
STL100N6LF6
Fabricante
STMicroelectronics
Allelco Número de pieza
32D-STL100N6LF6
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N CH 60V 100A PWRFLAT 5X6
Descripción detallada
Embalaje
8-PowerVDFN
Ficha de datos
STL100N6LF6.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 19947

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas STL100N6LF6
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de STMicroelectronics - STL100N6LF6 con especificaciones similares a STMicroelectronics - STL100N6LF6

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo PowerFlat™ (5x6)  
Serie DeepGATE™, STripFET™ VI  
RDS (Max) @Id, Vgs 4.5mOhm @ 11A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 4.8W (Tc)  
Paquete / Cubierta 8-PowerVDFN  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 8900 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 130 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)  
Número de producto base STL100  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las STMicroelectronics STL100N6LF6

Atributo del producto STL100N6LF6 STL10N3LLH5 STL10N60M2 STL100N12F7
Número de pieza STL100N6LF6 STL10N3LLH5 STL10N60M2 STL100N12F7
Fabricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc) 9A (Tc) 5.5A (Tc) 100A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±22V ±25V ±20V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 8900 pF @ 25 V 900 pF @ 25 V 400 pF @ 100 V 3300 pF @ 60 V
Característica de FET - - - -
Serie DeepGATE™, STripFET™ VI STripFET™ V MDmesh™ II Plus STripFET™ F7
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 130 nC @ 10 V 6 nC @ 4.5 V 13.5 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Paquete / Cubierta 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Número de producto base STL100 STL10 STL10 STL100
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V 30 V 600 V 120 V
RDS (Max) @Id, Vgs 4.5mOhm @ 11A, 10V 19mOhm @ 4.5A, 10V 660mOhm @ 2.5A, 10V 7.5mOhm @ 9A, 10V
Paquete del dispositivo PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (3.3x3.3) PowerFlat™ (5x6) HV PowerFlat™ (5x6)
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
La disipación de energía (máximo) 4.8W (Tc) 2W (Ta), 50W (Tc) 48W (Tc) 136W (Tc)

STL100N6LF6 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF STL100N6LF6 y la documentación STMicroelectronics para STL100N6LF6 - STMicroelectronics.

PCN obsolescencia/ EOL
IPD/15/9345 04/Aug/2015.pdf
Hojas de datos
STL100N6LF6.pdf

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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