- Jess***Jones
- 17/04/2026
Hojas de datos
STB,I,P,W34N65M5.pdfEnsamblaje de PCN/origen
TO-220 Capacity Expansion 18/Jun/2013.pdfPCN obsolescencia/ EOL
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| Cantidad | Precio unitario | Precio subtotal |
|---|---|---|
| 1+ | $4.827 | $4.83 |
| 200+ | $1.926 | $385.20 |
| 500+ | $1.863 | $931.50 |
| 1000+ | $1.83 | $1,830.00 |
Especificaciones tecnológicas STI34N65M5
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de STMicroelectronics - STI34N65M5 con especificaciones similares a STMicroelectronics - STI34N65M5
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | ±25V | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Paquete del dispositivo | I2PAKFP (TO-281) | |
| Serie | MDmesh™ V | |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 110mOhm @ 14A, 10V | |
| La disipación de energía (máximo) | 190W (Tc) | |
| Paquete / Cubierta | TO-262-3 Full Pack, I²Pak | |
| Paquete | Tube |
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2700 pF @ 100 V | |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 62.5 nC @ 10 V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Característica de FET | - | |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 650 V | |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 28A (Tc) | |
| Número de producto base | STI34N |
| ATRIBUTO | DESCRIPCIóN |
|---|---|
| Estado RoHS | ROHS3 Cumplante |
| Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estatus de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las STMicroelectronics STI34N65M5
| Atributo del producto | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
|---|---|---|---|---|
| Número de pieza | STI34N65M5 | STI3452HF2 | STI3470C | STI3508CB |
| Fabricante | STMicroelectronics | TMI | SUNTO | SUNTO |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 62.5 nC @ 10 V | - | - | - |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - |
| Número de producto base | STI34N | - | - | - |
| Tipo de montaje | Through Hole | - | - | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 110mOhm @ 14A, 10V | - | - | - |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2700 pF @ 100 V | - | - | - |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 28A (Tc) | - | - | - |
| Paquete / Cubierta | TO-262-3 Full Pack, I²Pak | - | - | - |
| Tipo FET | N-Channel | - | - | - |
| Característica de FET | - | - | - | - |
| Paquete | Tube | - | - | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | - | - | - |
| Serie | MDmesh™ V | - | - | - |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | - |
| Vgs (Max) | ±25V | - | - | - |
| Paquete del dispositivo | I2PAKFP (TO-281) | - | - | - |
| La disipación de energía (máximo) | 190W (Tc) | - | - | - |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 650 V | - | - | - |
| VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 250µA | - | - | - |
Descargue las hojas de datos PDF STI34N65M5 y la documentación STMicroelectronics para STI34N65M5 - STMicroelectronics.
STI3452HF2TMI
STI3470CSUNTO
STI3508CBSUNTO
STI3452HTMI
STI3520ACVSTMicroelectronics
STI3473SUNTO
STI3520LCVSTMicroelectronics
STI3470SUNTO
STI3508
STI3520ACV-ACESTMicroelectronics
STI3540SUNTO
STI3472SUNTO
STI3509BSUNTO
STI3507BSUNTO
STI3411SUNTO
STI3520CV-ESSTMicroelectronics
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| Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
|---|---|---|
| Región | País | Hora logística (día) |
| America | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemania | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oceanía | Australia | 6 |
| Nueva Zelanda | 5 | |
| Asia | India | 4 |
| Japón | 4 | |
| Oriente Medio | Israel | 6 |
| Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
|---|---|
| Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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