Número de pieza del fabricante
STH12N120K5-2
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
El STH12N120K5-2 es un MOSFET de canal N de alto rendimiento de la serie MDMesh K5 de STMicroelectronics, diseñada para aplicaciones de alta potencia y alta potencia.
Características del producto y rendimiento
Voltaje de drenaje a fuente de 1200V
12A Corriente de drenaje continuo a 25 ° C
Baja resistencia de 690mΩ @ 6a, 10V
Capacidades de conmutación rápida
Alta densidad de potencia de 250W
Ventajas de productos
Excelente eficiencia y rendimiento térmico
Diseño robusto y confiable
Capacidad de manipulación de alto voltaje
Optimizado para un cambio de alta frecuencia
Parámetros técnicos clave
VDSS: 1200V
VGS (máximo): ± 30V
RDS (ON) (Máx): 690mΩ @ 6a, 10V
CISS (máximo): 1370pf @ 100V
QG (máximo): 44.2nc @ 10V
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Paquete To-263-3 (DPAK) con almohadilla expuesta para un rendimiento térmico mejorado
Diseño robusto para alta fiabilidad
Compatibilidad
Este MOSFET es compatible con una amplia gama de aplicaciones de alto voltaje y alta potencia, que incluyen:
Suministros de alimentación de modo de interruptor
Impulso del motor
Inversores
Convertidores
Equipo de soldadura
Electrónica industrial
Áreas de aplicación
Alcance de alto voltaje y alta potencia
Electrónica de energía industrial y comercial
Sistemas de energía renovable
Electrónica automotriz
Ciclo de vida del producto
El STH12N120K5-2 es un producto activo en la cartera de STMicroelectronics.No hay planes actuales para la interrupción, y las opciones de reemplazo o actualización están disponibles según sea necesario.
Razones clave para elegir este producto
Excelente eficiencia y rendimiento térmico: la baja resistencia y la alta densidad de potencia del STH12N120K5-2 permiten diseños de electrónica de potencia eficientes y compactos.
Diseño robusto y confiable: la construcción resistente del dispositivo y el cumplimiento de ROHS3 aseguran la confiabilidad a largo plazo en las aplicaciones exigentes.
Capacidad de manipulación de alto voltaje: la clasificación de voltaje de drenaje a fuente de 1200 V hace que este MOSFET sea adecuado para una amplia gama de aplicaciones de alto voltaje.
Optimizado para una conmutación de alta frecuencia: las capacidades de conmutación rápida y la carga de puerta baja del STH12N120K5-2 lo hacen ideal para circuitos de conversión de potencia de alta frecuencia.

STH12N120K5-2AG