Número de pieza del fabricante
STF28N60DM2
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
MOSFET de potencia N-canal de alto rendimiento
Características del producto y rendimiento
Ultra-Low en resistencia (RDS (ON)) para alta eficiencia
Diseño robusto y confiable
Muy baja carga de puerta (QG) para conmutación rápida
Excelente capacidad de gestión térmica
Voltaje de desglose de fuente de drenaje alto (VDSS)
Ventajas de productos
Eficiencia energética mejorada
Pérdidas de potencia reducidas
Capacidad de conmutación rápida
Operación confiable en entornos de alta temperatura
Parámetros técnicos clave
Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 600V
Voltaje máximo de puerta a fuente (VGS (máximo)): ± 25V
En resistencia (RDS (ON)): 160MΩ @ 10.5a, 10V
Corriente de drenaje continuo (ID): 21a @ 25 ° C
Capacitancia de entrada (CISS): 1500pf @ 100V
Disipación de potencia (PTOT): 30W @ TC
Características de calidad y seguridad
Cumple con la Directiva ROHS3
Diseño de paquete robusto a 220FP
Compatibilidad
Adecuado para una amplia gama de aplicaciones electrónicas de energía
Áreas de aplicación
Fuente de alimentación
Impulso del motor
Inversores
Amplificadores de potencia de conmutación
Electrónica industrial y de consumo
Ciclo de vida del producto
Actualmente disponible
No hay planes de interrupción
Razones clave para elegir este producto
Excelente eficiencia energética y bajas pérdidas de energía
Capacidad de conmutación rápida para aplicaciones de alta frecuencia
Operación confiable en entornos de alta temperatura
Diseño robusto y confiable para el uso a largo plazo
Cumplimiento de la Directiva ROHS3 para la sostenibilidad ambiental
STF2E1-53Carling TechnologiesSWITCH TOGGLE
STF26NM60N MOSSTMicroelectronics