Número de pieza del fabricante
STF25N60M2-EP
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
MOSFET de potencia N-canal de alto rendimiento
Características del producto y rendimiento
Alta capacidad de avalancha
Baja resistencia
Velocidad de conmutación rápida
Alta densidad de potencia
Adecuado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia y alta frecuencia
Ventajas de productos
Excelente rendimiento térmico y eléctrico
Diseño robusto para alta fiabilidad
Optimizado para un bajo consumo de energía
Parámetros técnicos clave
Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 600 V
Voltaje de fuente de puerta (VGS MAX): ± 25 V
En resistencia (RDS (ON) Máx): 188 MΩ
Corriente de drenaje continuo (id): 18 a
Capacitancia de entrada (Ciss Max): 1090 pf
Disipación de potencia (TC): 30 W
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Diseño robusto para alta fiabilidad
Compatibilidad
Montaje en agujeros (paquete de 220-3)
Áreas de aplicación
Suministros de alimentación de conmutación
Impulso del motor
Cargas inductivas
Electrónica industrial y de consumo
Ciclo de vida del producto
Actualmente disponible
No se planea la interrupción
Razones clave para elegir este producto
Excelente rendimiento eléctrico y térmico
Alta fiabilidad y larga vida útil
Adecuado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia y alta frecuencia
ROHS3 Cumplimiento para la amistad ambiental
STF25N60M2STMicroelectronics