Número de pieza del fabricante
Stf23nm60nd
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
MOSFET de potencia N-canal de alto rendimiento en el paquete TO20
Características del producto y rendimiento
Voltaje de fuente de drenaje de 600 V
Baja resistencia
Alta capacidad de corriente
Velocidad de conmutación rápida
Excelente rendimiento térmico
Diseño confiable y robusto
Ventajas de productos
Adecuado para aplicaciones de conmutación de alto voltaje y alta corriente
Conversión y control de potencia eficiente
Mejora de la eficiencia y confiabilidad del sistema
Parámetros técnicos clave
Voltaje de fuente de drenaje (VDSS): 600V
Voltaje máximo de fuente de puerta (VGS): ± 25V
En resistencia (RDS (ON)): 180mΩ @ 10a, 10V
Corriente de drenaje continuo (ID): 19.5a @ 25 ° C
Capacitancia de entrada (CISS): 2050pf @ 50V
Disipación de potencia (TC): 35W
Tecnología MOSFET de canal N
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Control y pruebas de calidad estrictos
Compatibilidad
Adecuado para una amplia gama de aplicaciones de alta potencia y alto voltaje
Áreas de aplicación
Suministros de alimentación de conmutación
Impulso del motor
Inversores
Electrónica industrial y de consumo
Ciclo de vida del producto
Actualmente en producción
No hay planes inmediatos para la interrupción
Opciones de reemplazo o actualización disponibles en STMicroelectronics
Razones clave para elegir este producto
Excelente rendimiento y eficiencia
Diseño confiable y robusto
Adecuado para exigentes aplicaciones de alto voltaje y alta corriente
Solución rentable con buena relación calidad-precio
Respaldado por la experiencia y el apoyo de STMicroelectronics
STF2456SAMHOP
STF22NM60N-HSTMicroelectronics