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Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.
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STF11N65M2 - STMicroelectronics

Fabricante Número de pieza
STF11N65M2
Fabricante
STMicroelectronics
Allelco Número de pieza
32D-STF11N65M2
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 650V 7A TO220FP
Embalaje
TO-220-3 Full Pack
Ficha de datos
Mult Dev Wafer Site Add 3/Aug/2018.pdf
STF(I)11N65M2.pdf
Estado RoHS
ROHS3 Cumplante
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Especificaciones

Especificaciones tecnológicas STF11N65M2
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de STMicroelectronics - STF11N65M2 con especificaciones similares a STMicroelectronics - STF11N65M2

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-220FP  
Serie MDmesh™ II Plus  
RDS (Max) @Id, Vgs 670mOhm @ 3.5A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 25W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-220-3 Full Pack  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 410 pF @ 100 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 12.5 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 650 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Tc)  
Número de producto base STF11  

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS ROHS3 Cumplante
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estatus de alcance REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Introducción de piezas

Número de pieza del fabricante

STF11N65M2

Fabricante

Stmicroelectronics

Introducción

MOSFET de alto voltaje y baja resistencia a la red de canal

Características del producto y rendimiento

Calificación de alto voltaje hasta 650V

Baja resistencia a 670mΩ

Rango de temperatura de funcionamiento amplio de -55 ° C a 150 ° C

Capacitancia de entrada baja de 410pf

Adecuado para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia y alta frecuencia

Ventajas de productos

Excelente eficiencia energética y bajas pérdidas de conducción

Operación confiable de alto voltaje

Amplio rango de temperatura para diversas aplicaciones

Compacto y fácil de integrar el diseño

Parámetros técnicos clave

Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 650V

Voltaje de puerta a fuente (VGS): ± 25V

Corriente de drenaje continuo (ID): 7a

En resistencia (RDS (ON)): 670mΩ

Capacitancia de entrada (CISS): 410pf

Disipación de potencia: 25W

Características de calidad y seguridad

Cumplimiento de ROHS

Protección de ESD

Protección contra sobrecorriente y sobretensión

Compatibilidad

Compatible con interfaces de montaje e electricidad estándar a 220

Áreas de aplicación

Suministros de alimentación de conmutación

Impulso del motor

Inversores

Automatización industrial

Electrodomésticos

Ciclo de vida del producto

Este producto está actualmente en producción y no está a punto de interrumpir.

Las opciones de reemplazo o actualización están disponibles en el fabricante.

Razones clave para elegir este producto

Alto voltaje y baja resistencia a la conversión de energía eficiente

Amplio rango de temperatura de funcionamiento para diversas aplicaciones

Compacto y fácil de integrar el diseño

Rendimiento confiable con características de seguridad

Tecnología probada y soporte del fabricante

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las STMicroelectronics STF11N65M2

Atributo del producto STF11N65M2 STF11NM50N STF11N65K3 STF11N60DM2
Número de pieza STF11N65M2 STF11NM50N STF11N65K3 STF11N60DM2
Fabricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
La disipación de energía (máximo) 25W (Tc) 25W (Tc) 35W (Tc) 25W (Tc)
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 100µA 5V @ 250µA
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paquete Tube Tube Tube Tube
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±25V ±25V ±30V ±25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 12.5 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V 16.5 nC @ 10 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Tc) 8.5A (Tc) 11A (Tc) 10A (Tc)
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Número de producto base STF11 STF11 STF11 STF11
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
RDS (Max) @Id, Vgs 670mOhm @ 3.5A, 10V 470mOhm @ 4.5A, 10V 850mOhm @ 3.6A, 10V 420mOhm @ 5A, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 650 V 500 V 650 V 600 V
Característica de FET - - - -
Paquete / Cubierta TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Serie MDmesh™ II Plus MDmesh™ II SuperMESH3™ MDmesh™ DM2
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 410 pF @ 100 V 547 pF @ 50 V 1180 pF @ 50 V 614 pF @ 100 V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete del dispositivo TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP

STF11N65M2 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF STF11N65M2 y la documentación STMicroelectronics para STF11N65M2 - STMicroelectronics.

Dibujos 2d
Mult Dev Wafer Site Add 3/Aug/2018.pdf STF(I)11N65M2.pdf

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Comentarios de los clientes

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America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
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Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
Póngase en contacto con nosotros si tiene alguna pregunta.

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