Número de pieza del fabricante
Ste48nm60
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
Transistor MOSFET de alto voltaje N-canal
Características del producto y rendimiento
Voltaje de fuente de drenaje de 650 V
110mohm en resistencia
48A Corriente de drenaje continuo
Disipación de potencia de 450W
Rendimiento de conmutación rápida
Ventajas de productos
Capacidad de alto voltaje y corriente
Baja resistencia a alta eficiencia
Diseño robusto para operaciones confiables
Parámetros técnicos clave
Voltaje de fuente de drenaje (VDSS): 650V
Voltaje de fuente de puerta (VGS): ± 30V
En resistencia (RDS (ON)): 110MOHM
Corriente de drenaje continuo (ID): 48a
Disipación de potencia: 450W
Capacitancia de entrada (CISS): 3800pf
CARGA DE GATE (QG): 134NC
Características de calidad y seguridad
ROHS no conforme
Diseñado para una alta fiabilidad y seguridad
Compatibilidad
Adecuado para su uso en aplicaciones de alto voltaje y alta potencia
Áreas de aplicación
Suministros de alimentación de modo conmutado
Impulso del motor
Inversores
Electrónica industrial y de consumo
Ciclo de vida del producto
Este producto es una parte establecida y actualmente está disponible.
Razones clave para elegir este producto
Capacidades de manipulación de alto voltaje y corriente
Baja resistencia a alta eficiencia
Diseño robusto y confiable
Adecuado para una amplia gama de aplicaciones de alta potencia
STE53N50STMicroelectronicsIGBT Module
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